一种氧化镓压电衬底及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化镓压电衬底及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)提供源衬底，在所述源衬底上制备结晶层；(2)在所述结晶层上制备ε‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;压电薄膜层；(3)在所述ε‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;压电薄膜层上制备键合层；(4)提供转移衬底，通过键合层将ε‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;压电薄膜层与转移衬底键合；(5)对源衬底进行机械减薄并刻蚀，暴露出结晶层；(6)去除结晶层，暴露出ε‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;压电薄膜层，得到氧化镓压电衬底。本发明专利技术能够制备具有高精度的氧化镓压电薄膜层的压电衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种氧化镓压电衬底及其制备方法。

技术介绍

1、saw(surface acoustic wave，声表面波)器件的核心组成部分之一是压电薄膜材料，压电薄膜材料的选择对器件的性能有着重要影响。现有的压电薄膜材料通常采用linbo3、litao3等铁电单晶材料，但是基于这些材料制备的光学器件具有压电薄膜层厚度均匀性差、器件尺寸大、集成度低、生产成本高等缺点。氧化镓具有宽禁带和高击穿电场的优点，其中ε-ga2o3具有较强的压电极化效应，可以作为压电薄膜材料，但是在异质衬底上外延生长ε-ga2o3存在厚度均匀性差、晶相不一致等缺点。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种氧化镓压电衬底的制备方法，可以制得具有高质量和高精度的氧化镓薄膜压电衬底。

2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种氧化镓压电衬底，衬底质量高，对声损的抑制作用好。

3、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种氧化镓压电衬底的制备方法，包括以下步骤：

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【技术保护点】

1.一种氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述结晶层的材料为氮化铝和/或碳化硅，厚度为5nm～100nm。

3.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述ε-Ga2O3压电薄膜层的厚度为100nm～1000nm。

4.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，采用金属有机化学气相沉积制备所述ε-Ga2O3压电薄膜层，生长温度为400℃～600℃。

5.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述键合层的材料为二氧化...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述结晶层的材料为氮化铝和/或碳化硅，厚度为5nm～100nm。

3.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述ε-ga2o3压电薄膜层的厚度为100nm～1000nm。

4.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，采用金属有机化学气相沉积制备所述ε-ga2o3压电薄膜层，生长温度为400℃～600℃。

5.如权利要求1所述的氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，所述键合层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种，厚度为1μm～10μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：王孟源，蒋将，
申请(专利权)人：福建晶旭半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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