一种IC半导体芯片加工用蚀刻装置制造方法及图纸

技术编号:46489345 阅读:5 留言:0更新日期:2025-09-26 19:09
本发明专利技术涉及半导体加工设备技术领域,且公开了一种IC半导体芯片加工用蚀刻装置,包括刻蚀箱,刻蚀箱用于为整个刻蚀作业提供一个较为封闭的空间,刻蚀箱上设置有储液框,储液框的上方设置有刻蚀平台,刻蚀平台上设置有夹持组件,夹持组件用于对晶圆进行夹持,刻蚀平台与储液框通过连接框连通;刻蚀箱上设置有滴液机构,滴液机构设置在刻蚀平台的上方,其采用滴液头为滴液元件,用于对晶圆进行滴液刻蚀,本发明专利技术通过采用刻蚀液滴落的方式对晶圆进行刻蚀,可以有效精准的对晶圆的刻蚀部位进行刻蚀作业,避免造成刻蚀液浪费,同时滴落的方式可以减少刻蚀液溅射对周围的设备造成损坏,保障刻蚀设备的使用寿命,同时也保障晶圆刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工设备,具体为一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置。


技术介绍

1、ic半导体芯片,即集成电路半导体芯片,是将大量电子元件(如晶体管、电阻、电容等)及其互连线路集成在一块半导体基片(如硅、锗等)上的微型电子器件,其是现代电子技术的核心,广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车电子、工业控制等各个领域,其具体由半导体基片、晶体管、互联电路以及封装等组成,在其生产过程中,需要经历晶圆制备、光刻、刻蚀和掺杂、薄膜沉积以及互连与测试工艺。

2、其中,关于ic半导体芯片的刻蚀工艺中,分为干刻蚀和湿刻蚀,干刻蚀是一种在真空环境下,利用等离子体、离子束或激光等物理或化学手段,将材料表面原子或分子去除的工艺,其适用于需要高精度、高分辨率的微纳加工,湿刻蚀是一种通过化学溶液与材料表面发生化学反应,将材料溶解或腐蚀的工艺,其适用于大面积、低成本的初步加工。

3、在湿刻蚀的加工过程中,具体的实施方式有浸泡刻蚀和喷洒刻蚀等,但是实际的使用过程中,浸泡刻蚀需要足够量的蚀刻液来浸没晶圆,蚀刻液的消耗量较大,增加了生产成本,且难以对晶圆表面的特定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IC半导体芯片加工用蚀刻装置,包括刻蚀箱(1),刻蚀箱(1)用于为整个刻蚀作业提供一个较为封闭的空间,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种IC半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:转动组件(4)由转动盘和转动电机(5)构成,转动盘转动安装在刻蚀箱(1)上,转动电机(5)安装在刻蚀箱(1)上,转动电机(5)与转动盘通过齿轮啮合连接,平移组件(6)设置在转动盘上,平移组件(6)由平移框、平移螺杆、平移电机和平移块构成,平移框安装在转动盘上,平移螺杆转动安装在平移框上,平移电机安装在平移框上,平移电机的输出轴与平移螺杆连接,平移块滑动安装在平移框上,平移块与平移螺杆螺...

【技术特征摘要】

1.一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,包括刻蚀箱(1),刻蚀箱(1)用于为整个刻蚀作业提供一个较为封闭的空间,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:转动组件(4)由转动盘和转动电机(5)构成,转动盘转动安装在刻蚀箱(1)上,转动电机(5)安装在刻蚀箱(1)上,转动电机(5)与转动盘通过齿轮啮合连接,平移组件(6)设置在转动盘上,平移组件(6)由平移框、平移螺杆、平移电机和平移块构成,平移框安装在转动盘上,平移螺杆转动安装在平移框上,平移电机安装在平移框上,平移电机的输出轴与平移螺杆连接,平移块滑动安装在平移框上,平移块与平移螺杆螺纹连接。

3.根据权利要求2所述的一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:刻蚀平台(2)与储液框采用滑动连接,方便移动刻蚀平台(2)的位置,用于为晶圆的安装提供便捷,储液框上设置有限位组件,用于对刻蚀平台(2)进行限位,储液框上开设有滑槽一,刻蚀平台(2)的底部安装有滑条,滑条与滑槽一滑动连接,滑条上设置有限位槽,限位组件有固定架和限位条构成,固定架安装在储液框上,限位条转动安装在固定架上,限位条与限位槽适配。

4.根据权利要求3所述的一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:刻蚀平台(2)采用中空设置,刻蚀平台(2)上安装有固定杆,固定杆数量设为多个,相邻的两个固定杆之间设置有缝隙,多个固定杆构成一个平面,用于放置晶圆,刻蚀平台(2)上安装有连接框(10),连接框(10)的另一端与储液框连通,连接框(10)设置为可伸缩状。

5.根据权利要求4所述的一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:夹持组件(3)由夹持板、夹持伸缩杆和连接架构成,夹持板设置在刻蚀平台(2)上,夹持伸缩杆安装在刻蚀平台(2)上,连接架滑动安装在刻蚀平台(2)上,连接架与夹持板和夹持伸缩杆连接,便于夹持伸缩杆带动夹持板移动。

6.根据权利要求5所述的一种ic半导体芯片加工用蚀刻装置,其特征在于:滴液机...

【专利技术属性】
技术研发人员:付国杨胡伟陈红
申请(专利权)人:江苏国中芯半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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