【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及阵列加工，尤其涉及一种大面积微单晶阵列加工方法。
技术介绍
1、在光电器件以及柔性电子等领域，大面积微单晶阵列因其卓越的电学、光学性能和高度一致性而备受关注。随着这些领域技术的飞速发展，对大面积微单晶阵列制备技术的需求日益迫切，相关加工方法已成为研究热点。
2、传统加工方法在大面积微单晶阵列制备方面存在诸多局限。例如微米压印法，虽能通过模具压印使溶液填充微纳结构形成阵列，但模具制作成本高、精度要求苛刻，且易损耗。喷墨打印法则因墨水在基板上易扩散，导致图案精度欠佳，喷嘴还易堵塞，影响加工稳定性。液相浸涂法操作简便，适合大面积，但晶体生长方向和尺寸难以精准控制，影响阵列质量和性能。这些传统方法难以满足当下对大面积、高精度微单晶阵列的需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种大面积微单晶阵列加工方法，以解决有机液相加工中难以大面积加工的问题。
2、本专利技术实施例提供了一种大面积微单晶阵列加工方法，该方法通过大面积微单晶阵列加工设备实现，所述设备包括...
【技术保护点】
1.一种大面积微单晶阵列加工方法，其特征在于，所述方法通过大面积微单晶阵列加工设备实现，所述设备包括：对准系统、对准平台、显示装置、控制装置、样品台以及操作装置；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1具体包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阵列硅柱模板中硅柱的宽为2-5μm，间隔为5-10μm，高为12-18μm。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机半导体溶液滴的溶积为5-15μL，溶剂为氯仿或甲苯，浓度为1-10 mg/ml。
5.根据权利要求1所述的方法...
【技术特征摘要】
1.一种大面积微单晶阵列加工方法，其特征在于，所述方法通过大面积微单晶阵列加工设备实现，所述设备包括：对准系统、对准平台、显示装置、控制装置、样品台以及操作装置；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述s1具体包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阵列硅柱模板中硅柱的宽为2-5μm，间隔为5-10μm，高为12-18μm。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：江亮，屈芙蓉，夏洋，高寒飞，朱忠鹏，杨俊川，谢超，杨宝翔，陈俊豪，张超，
申请(专利权)人：苏州仿生材料科学与工程中心，
类型：发明
国别省市：
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