功率芯片内埋式封装模块制造技术

本发明专利技术公开了一种功率芯片内埋式封装模块，包括：芯片载板，包括第一电路基板和镶嵌在第一电路基板中的导电片；陶瓷基板，设置在芯片载板的第一表面侧；第二电路基板，设置在芯片载板的第二表面侧；多个功率芯片，封装在芯片载板与陶瓷基板之间；功率芯片的第一侧与第一电路基板和导电片电连接，功率芯片相对于第一侧的第二侧与陶瓷基板电连接；多个导热陶瓷块，每个陶瓷导热块的相对两侧均分别与导电片和陶瓷基板连接；沿导电片的长度方向，导热陶瓷块与功率芯片交替设置。本发明专利技术的封装模块不仅具有集成度高、散热性能好的优点，而且可减少模块的电路回路面积，有效降低电路阻抗，减少寄生电感效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率芯片封装领域，尤其涉及一种功率芯片内埋式封装模块。

技术介绍

1、包括igbt芯片和/或mosfet芯片等功率芯片的功率模块广泛应用在各种电力电子设备上，此类功率芯片工作时会产生大量热量，如果封装模块不能及时将所产生的热量散发，将严重影响功率器件及其周边电子元件的工作。因此，要求封装模块具有较佳的散热性能。

2、在开关电源的应用下，功率芯片回路的寄生电感容易产生较高的峰值电压，进而导致较大的电磁干扰且增加其开关功率损耗。因此，需要尽可能地减少功率模块的寄生电感。另外，随着功率模块向小型化的方向发展，要求功率模块具有更高的封装集成度。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提供一种散热性能好、集成度高且电路阻抗和寄生效应低的功率芯片封装模块。

2、为了实现上述主要目的，本专利技术实施例公开了一种功率芯片内埋式封装模块，包括：

3、芯片载板，包括第一电路基板和镶嵌在所述第一电路基板中的导电片；

4、陶瓷基板，设置在所述芯片载板的第一表面侧；...

【技术保护点】

1.一种功率芯片内埋式封装模块，包括：

2.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，沿所述导电片的长度方向，位于中间的导热陶瓷块的尺寸是位于两端的导热陶瓷块的两倍。

3.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述导电片的侧边设有嵌入所述第一电路基板内部的侧向凸出部。

4.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述导电片上设有凸伸至所述封装模块外部的引脚。

5.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述陶瓷基板包括陶瓷芯板以及分别设置在所述陶瓷芯板相对两侧的金属导电层和金属散热层，所述金属导电层与...

【技术特征摘要】

1.一种功率芯片内埋式封装模块，包括：

2.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，沿所述导电片的长度方向，位于中间的导热陶瓷块的尺寸是位于两端的导热陶瓷块的两倍。

3.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述导电片的侧边设有嵌入所述第一电路基板内部的侧向凸出部。

4.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述导电片上设有凸伸至所述封装模块外部的引脚。

5.根据权利要求1所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述陶瓷基板包括陶瓷芯板以及分别设置在所述陶瓷芯板相对两侧的金属导电层和金属散热层，所述金属导电层与所述功率芯片和所述导热陶瓷块连接。

6.根据权利要求5所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，所述金属散热层上连接有散热器，所述散热器设有散热翅片。

7.根据权利要求6所述的功率芯片内埋式封装模块，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟健，
申请(专利权)人：丰鹏创科科技珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：