一种新型高维持电压SCR结构制造技术

本技术公开了一种新型高维持电压SCR结构，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的交界处；第一导电类型侧壁齐纳注入区，设置在沟槽与所述第一导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部；第二导电类型侧壁区，设置在所述沟槽与所述第二导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部与第一导电类型侧壁齐纳注入区相接。通过引入新的电流触发路径，使得载流子沿着沟槽壁运输，将载流子输运路径由器件转变为器件内部，降低了SCR器件的触发电压。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路，特别涉及一种新型高维持电压scr结构。

技术介绍

1、esd即静电泄放，是一种古老的自然现象。esd存在于人们日常生活的各个角落。而就是这样习以为常的电学现象对于精密的集成电路来讲却是致命的威胁。电浪涌/瞬态电压，指的是在电路中突然出现的随机且超过正常情况下的高电压或者大电流，其特点为发生时间短，瞬时能量非常大。电浪涌对电子元件与集成电路有着很强的破坏性，轻则诱发逻辑电路产生误动作，重则导致三极管的二次击穿、互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor,cmos)的闩锁效应等严重热效应使得器件或者集成电路失效。电浪涌通常有两种具有随机性的来源，第一种是电网的不稳定因素，比如突然的开关通断、容性或者感性负载的突然启动、相关设备的热插拔、相关电力电源运行不稳定等。第二种是外界的突发干扰，比如雷电、静电放电等。

2、随着集成电路制造工艺的提高，其最小线宽已经下降到亚微米甚至纳米的级别，在带来芯片性能提高的同时，其抗esd打击能力也大幅度降低，因此静电损害更严重。esd的产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型高维持电压SCR结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的新型高维持电压SCR结构，其特征在于，所述沟槽的底部低于所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的下边缘。

3.根据权利要求1所述的新型高维持电压SCR结构，其特征在于，所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的下边缘在同一水平线上。

4.根据权利要求1所述的新型高维持电压SCR结构，其特征在于，所述第一导电类型侧壁齐纳注入区的底部下边缘低于所述第二导电类型侧壁区的底部下边缘。

5.根据权利要求1所述的新型高维持电压SCR结构，其特征在于，所述第二导电类型阱区中设置有...

【技术特征摘要】

1.一种新型高维持电压scr结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的新型高维持电压scr结构，其特征在于，所述沟槽的底部低于所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的下边缘。

3.根据权利要求1所述的新型高维持电压scr结构，其特征在于，所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的下边缘在同一水平线上。

4.根据权利要求1所述的新型高维持电压scr结构，其特征在于，所述第一导电类型侧壁齐纳注入区的底部下边缘低于所述第二导电类型侧壁区的底部下边缘。

5.根据权利要求1所述的新型高维持电压scr结构，其特征在于，所述第二导电类型阱区中设置有第一离子注入区，所述第一离子注入区的一侧连接有第二离子注入区。

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周健，王帅旗，张代中，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：