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本技术公开了一种新型高维持电压SCR结构，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一导电类型阱区...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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