【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，特别是关于一种防止天线效应的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、集成电路和其他半导体装置被形成为包括众多的耦合在一起并且耦合至各种其他部件的独立晶体管，以形成功能装置。如果任何一个晶体管失效，则可以破坏装置功能。在先进半导体装置制造和生产中，通常在用于形成几乎所有的集成电路和其他半导体装置的制造操作的序列中多次使用等离子体化学操作。等离子体操作包括等离子体蚀刻操作和等离子体沉积操作。等离子体气相沉积和等离子体增强化学气相沉积仅代表多种等离子体沉积操作中的两个。
2、等离子体操作利用激发的离子并且这些离子常常以较高的偏差通常被引导至基板表面。等离子体中的激发的、加速的离子可以导致损害先前形成的部件。反应离子蚀刻(reactive-ion etching，rie)操作和利用离子轰击的其他操作也可以损害现有部件而对现有部件造成的损害统称为等离子体导致的损害。
3、用于集成电路和其他半导体装置的高灵敏度晶体管通常包括定位在可以是氧化物或其他栅极介电材料的栅极介电层上...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构埋设于该基板内。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该至少一放电结构的顶表面与该基板的表面齐平。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构包括金属导电材料。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构的数量为多个，且所述多个放电结构间隔地排列于该栅极接垫对该基板的正投影内。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该熔丝结构的该第二部分直接接触该至少一放电结构。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构埋设于该基板内。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该至少一放电结构的顶表面与该基板的表面齐平。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构包括金属导电材料。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一放电结构的数量为多个，且所述多个放电结构间隔地排列于该栅极接垫对该基板的正投影内。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈旻政，欧天凡，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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