【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于具有碳化硅材料及在其上的栅极氧化物层的半导体装置以及与其相关联的制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、大功率电子装置的一种最有优势的半导体材料，并且具有远大于硅材料的功率装置品质因子。碳化硅的半导体功率装置具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等一系列优点，已在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。
2、目前限制碳化硅功率半导体装置应用的一个技术问题是在碳化硅基板上形成栅极氧化物层的高温氧化过程中，虽然氧化物层中的碳杂质以碳氧化物的形式扩散出来，但是有少量的碳杂质保留在氧化物层内和硅氧化物/碳化硅界面处。因此，碳化硅半导体装置的电气性能退化导致装置性能和可靠性下降，是实现基于碳化硅的电力电子装置的关键障碍。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本揭示内容的多个实施方式提供了一种在碳化硅材料上制造栅极氧化物层的方法，此方法能够有效降低碳化硅材料中碳硅断键的现象，...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在所述形成该第一氧化物层的期间的一热预算小于在该碳化硅材料中碳硅断键所需的另一热预算。
3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第二氧化物层经由高温氧化沉积工艺或原子层沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第二氧化物层经由高温氧化沉积工艺，该第二温度为700℃至900℃。
5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第二氧...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在所述形成该第一氧化物层的期间的一热预算小于在该碳化硅材料中碳硅断键所需的另一热预算。
3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第二氧化物层经由高温氧化沉积工艺或原子层沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第二氧化物层经由高温氧化沉积工艺，该第二温度为700℃至900℃。
5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述形成该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：申云洪，欧天凡，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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