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一种制造半导体装置的方法，包含：提供基板，其中基板包含碳化硅材料；形成第一氧化物层，在第一温度和氧气的存在下，经由热氧化工艺在基板上形成第一氧化物层，其中第一温度高于1000℃；形成第二氧化物层，在第二温度下，经由沉积工艺在第一氧化物层上形...
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