【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法。
技术介绍
1、随着环境保护的需求越来越高，当前通常采用多种可再生能源作为能量供应体系。太阳能是具备较大发展潜力的一种可再生能源，可以制造太阳能电池从而实现对太阳能的利用。
2、碲化镉(cdte)是一种ii-vi族直接带隙半导体材料，具备1.45ev的光学禁带宽度，其吸收系数高达105cm-1，仅1～2μm厚的cdte薄膜即可高效吸收相应波段的太阳光，基于以上特性，碲化镉薄膜太阳能电池被视为一种极具发展前景的薄膜太阳电池。在碲化镉太阳电池器件中，铜掺杂碲化镉可以帮助形成良好的低电阻背接触，对碲化镉进行p-型掺杂。但铜在碲化镉薄膜太阳电池中容易扩散，导致器件稳定性问题。由于铜在碲化镉中的扩散率较高，且主要是通过这些多晶器件中的晶界扩散，因此铜原子很容易填充碲化镉中的镉空位，并从背接触向结区扩散。同时，由于包含cdsete吸收层结构电池中se元素存在着不稳定扩散的现象，使得器件填充因子在实际运行过程中逐渐下降。
3、因此，如何缓解铜元素和硒元素的过...
【技术保护点】
1.一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次设置的衬底、第一电极层、窗口层、第一吸收层、硫化铋层、第二吸收层和第二电极层。
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述硫化铋层的厚度为1nm至40nm。
3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述第一电极层为掺氟二氧化锡膜；所述窗口层为氧化锡膜；所述第一吸收层包括硒化镉膜；所述第二吸收层包括碲化镉膜；所述第二电极层为金膜、银膜、铝膜、钼膜、碲膜、镍膜或铬膜中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述衬底的厚度为2...
【技术特征摘要】
1.一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次设置的衬底、第一电极层、窗口层、第一吸收层、硫化铋层、第二吸收层和第二电极层。
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述硫化铋层的厚度为1nm至40nm。
3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述第一电极层为掺氟二氧化锡膜；所述窗口层为氧化锡膜；所述第一吸收层包括硒化镉膜；所述第二吸收层包括碲化镉膜；所述第二电极层为金膜、银膜、铝膜、钼膜、碲膜、镍膜或铬膜中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述衬底的厚度为2mm至5mm；所述第一电极层的厚度为350nm至450nm；所述第一吸收层的厚度为80nm至180nm；所述第二吸收层的厚度为1μm至6μm；所述第二电极层的厚度为50nm至400nm；所述窗口层的厚度为10nm至80nm。
5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述第一电极层表面还设有金属电极层，所述金属电极层位于远离衬底一侧；所述金属电极层的厚度为50nm至400nm。
【专利技术属性】
技术研发人员：王德亮，曲思渝，蔡彦博，陈榆林，郝祥明，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：
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