【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种原位水蒸气生长装置。
技术介绍
1、原位水蒸气生长(in-situ steam generation，简称issg)是一种新型低压快速氧化热退火技术，目前主要用于超薄氧化薄膜生长、牺牲氧化层以及氮氧薄膜的制备。原位水蒸气生长的优点是氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度也比较小，氧化物薄膜的质量比较高，已逐渐成为半导体制造中必不可少的一项工艺。随着半导体工业发展，在28nm及以下制程中，输入/输出(input/output，简称io)器件的栅极氧化层的制备逐步采用原位水蒸气生长工艺替代炉管工艺。
2、然而，当前原位水蒸气生长工艺的设备系统还存在问题。
技术实现思路
1、本技术解决的问题是如何改善原位水蒸气生长装置造成的晶圆质量不佳的问题，以提升晶圆膜厚的均一性和晶圆表面的平坦度。
2、为解决上述问题，本技术提供一种原位水蒸气生长装置，包括：反应腔，所述反应腔适宜于容纳待操作晶圆；加热器，所述加热器适宜于对待操作晶圆进行热退火；主进气口，所述主...
【技术保护点】
1.一种原位水蒸气生长装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，环形分布的沟道进气口之间间距相等。
3.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，围成不同环形的沟道进气口之间相互隔断。
4.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，还包括：气流分散板，所述气流分散板位于所述待操作晶圆的上方；
5.如权利要求4所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，所述气流分散板具有导气槽，所述导气槽开口背向所述待操作晶圆，所述沟道进气口位于所述导气槽底部。
6.如权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种原位水蒸气生长装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，环形分布的沟道进气口之间间距相等。
3.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，围成不同环形的沟道进气口之间相互隔断。
4.如权利要求1所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，还包括：气流分散板，所述气流分散板位于所述待操作晶圆的上方；
5.如权利要求4所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，所述气流分散板具有导气槽，所述导气槽开口背向所述待操作晶圆，所述沟道进气口位于所述导气槽底部。
6.如权利要求5所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，所述导气槽呈环形。
7.如权利要求5所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，所述导气槽的侧壁内具有入气口。
8.如权利要求7所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，不同导气槽的入气口相互隔断。
9.如权利要求7所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，所述反应腔的侧壁上具有补偿进气口，所述补偿进气口与至少1个所述入气口相连通。
10.如权利要求7所述的原位水蒸气生长装置，其特征在于，还包括：第一盖板和第二盖板，所述第二盖板和所述侧壁围成所述反应腔，所述第二盖板位于所述第一盖板靠近所述待操作晶圆的一侧；
11.如权利要求10所述的原位水蒸气生长装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：南艳荣，程里，薛静龙，
申请(专利权)人：中芯京城集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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