【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置，特别涉及实施半导体晶片的薄化加工的方法。
技术介绍
1、在存储器、微处理器等领域中，通过半导体装置的三维安装等推进封装的高密度化。随之，要求半导体晶片的薄化。
2、另外，在搭载于空调机的压缩机用电动机或汽车用电动机等的逆变器电路及海底直流输电等中，有时主要使用处理从几百千瓦到几兆瓦的较大功率的功率用半导体装置。作为功率用半导体装置，例如有二极管、金属氧化膜半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，“mosfet”)以及绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，“igbt”)等半导体开关。
3、在这些功率用半导体装置的制造中，以提高导通阻抗等通电特性为目的，进行半导体晶片的薄化加工。在半导体晶片的薄化加工中，通常进行背面研磨和抛光等机械磨削(研磨)，以及以除去机械磨削产生的加工变质层为目的的湿式蚀刻和干式蚀刻等化学表面处理。
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【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
5.如权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
6.如权利要求3至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
7.如权利要求3至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：近森大亮，酒井克尚，白石尚义，小桥洸介，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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