【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体材料，具体涉及一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)晶体是第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿场强(其击穿场强是硅的10倍)、高热导率(其热导率是硅的3倍)、高电子饱和漂移速率等特性。其物理化学稳定性优异，适用于高温、高频、高功率场景，如新能源汽车、光伏储能、轨道交通等领域。
2、碳化硅晶体在实现导电型和半绝缘型性质时，通常采用掺杂技术。掺杂是向晶体中引入杂质，以改善其导电性质。碳化硅晶体的掺杂分为n型掺杂和p型掺杂。在n型掺杂中，将价电子为5的元素(如氮、磷、砷等)，掺入到碳化硅晶体中，杂质原子形成施主杂质，增加自由电子密度，改变晶体导电性。碳化硅半导体的掺杂方法主要包括高温扩散、离子注入和原位扩散。
3、由于碳化硅键能高、掺杂剂在晶体中的扩散系数很低，传统的高温扩散工艺在碳化硅晶体中难以实现有效的掺杂；离子注入是通过高能离子束将杂质原子注入到碳化硅晶圆中，离子注入设备成本高、工艺复杂，适用于碳化硅外延制备后的半导体器件制造工艺环节；目前碳化硅早期阶段晶体生长工艺的掺...
【技术保护点】
1.一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述磷原子通过碳化硅晶体中硅原子与中子俘获核反应转换得到，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述待掺杂碳化硅晶体包括碳化硅晶棒、碳化硅晶片、碳化硅衬底和碳化硅外延层中的一种或多种；
3.根据权利要求1所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述初始电学性能包括待掺杂碳化硅晶体的初始电阻率、背景磷杂质浓度、载流子浓度和电子迁移率中的一种或多种；
4.根据权利要求3所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，步骤(...
【技术特征摘要】
1.一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述磷原子通过碳化硅晶体中硅原子与中子俘获核反应转换得到，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述待掺杂碳化硅晶体包括碳化硅晶棒、碳化硅晶片、碳化硅衬底和碳化硅外延层中的一种或多种；
3.根据权利要求1所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述初始电学性能包括待掺杂碳化硅晶体的初始电阻率、背景磷杂质浓度、载流子浓度和电子迁移率中的一种或多种；
4.根据权利要求3所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，磷原子目标掺杂浓度的计算方法如下所示：
5.根据权利要求1所述一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磷原子目标掺杂浓度为1014-1.5×1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宏伟，张晗，吕建华，
申请(专利权)人：深圳麒磷晶源半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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