一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料及其制备方法，其化学式为：PMA4InCl7·H2O，掺杂锑后的单晶材料化学式为PMA4InCl7·H2O:Sb；本发明专利技术通过添加原料、冷却结晶、抽滤、烘干等步骤获得对应单晶材料。该PMA4InCl7·H2O的光学带隙通过紫外‑可见分光光度计确定在4‑5eV，用365nm的手提式紫外灯进行照射，表现为淡蓝色；该PMA4InCl7·H2O:Sb的光学带隙通过紫外‑可见分光光度计确定在3‑4eV，用365nm的手提式紫外灯进行照射，表现为亮黄色。通过绝对荧光量子产率光谱仪测得量子产率最高可到达72%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非铅有机无机杂化零维铟基卤化物钙钛矿单晶，属于钙钛矿单晶。

技术介绍

1、钙钛矿单晶由于其优异的光电性质及其稳定性在光电领域收到广泛关注，但传统铅基卤化物钙钛矿由于其毒性、遇水易分解及其差的稳定性限制了其商业发展，研发高性能的非铅钙钛矿单晶材料是钙钛矿材料发展的必然趋势。而零维材料由于其独特的结构优势，展现出了优秀的光学性质。因此开发高效、稳定的新型零维非铅卤化物钙钛矿单晶具有重要意义。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料及其制备方法。

2、第一方面，本专利技术提供了一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其化学式为pma4incl7·h2o，其中，pma+为苯甲基铵阳离子，化学式(c7h10n)+。

3、进一步的，该单晶材料属于三斜晶系空间群p-1且具有0维晶体结构，其晶格常数为和此外，α，β，γ分别为81.0053度、80.3369度和89.9949度。

4、第二方面，本专利技术提供了一种锑掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其化学式为PMA4InCl7·H2O，其中，PMA+为苯甲基铵阳离子，化学式(C7H10N)+。

2.如权利要求1所述的有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其属于三斜晶系空间群P-1且具有0维晶体结构，其晶格常数为10.6340Å、10.6721Å和17.0199Å，此外，α，β，γ分别为81.0053度、80.3369度和89.9949度。

3.一种锑掺杂的有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其化学式为PMA4InCl7·H2O: Sb，该单晶材料中，锑离子取代了氯化铟八面体中...

【技术特征摘要】

1.一种有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其化学式为pma4incl7·h2o，其中，pma+为苯甲基铵阳离子，化学式(c7h10n)+。

2.如权利要求1所述的有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其属于三斜晶系空间群p-1且具有0维晶体结构，其晶格常数为10.6340å、10.6721å和17.0199å，此外，α，β，γ分别为81.0053度、80.3369度和89.9949度。

3.一种锑掺杂的有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料，其特征在于，其化学式为pma4incl7·h2o: sb，该单晶材料中，锑离子取代了氯化铟八面体中的铟离子而不破坏其晶体结构。

4.一种如权利要求1或2所述的有机无机杂化零维卤化物钙钛矿单晶材料的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵琨，罗致远，尹宏，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：