【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种静电吸盘，特别是涉及一种能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置。
技术介绍
1、参阅图1，现有的半导体工业中的一个溅镀机台7，包括一个腔室71、一个磁铁72、一个位于所述磁铁72的下方的靶材73、一个电连接所述靶材73的交流电74，及一个静电吸盘装置75。所述溅镀机台7为利用物理气相沉积(phys ical vapor depos it ion,pvd)方法于所述静电吸盘装置75上的一个基板8沉积金属层。
2、所述溅镀机台7是利用一个机械手臂(图未示)将所述基板8抓取至所述静电吸盘装置75上，再利用等离子体对所述靶材73进行离子轰击，而将所述靶材73表面的离子撞击出来，到达所述基板8上进行沉积。
3、所述静电吸盘装置75用以承载并吸附所述基板8。所述静电吸盘装置75具有一个盘体751、两个设置于所述盘体751内的电极752，及两个分别设置于所述电极752的端子753。所述端子753电连接一个电源(图未示)。所述电源经由所述端子753分别提供一个正电电源与一个负电电源至所述电极752以产生静电。所述盘体7...
【技术保护点】
1.一种能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，包含载台、电极单元，及端子单元；其特征在于：所述载台包括承载面，所述电极单元设置于所述载台内且用以产生静电，所述端子单元设置于所述电极单元且位于所述电极单元远离所述承载面的一侧，所述端子单元电连接所述电极单元且相对磁导率小于50。
2.根据权利要求1所述的能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，其特征在于：所述端子单元的材质为钼或钨。
3.根据权利要求1所述的能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，其特征在于：所述电极单元包括圆盘状的第一电极件，及围绕所述第一电极件的第二电极件，所述端子单元包括两个分别设置于...
【技术特征摘要】
1.一种能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，包含载台、电极单元，及端子单元；其特征在于：所述载台包括承载面，所述电极单元设置于所述载台内且用以产生静电，所述端子单元设置于所述电极单元且位于所述电极单元远离所述承载面的一侧，所述端子单元电连接所述电极单元且相对磁导率小于50。
2.根据权利要求1所述的能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，其特征在于：所述端子单元的材质为钼或钨。
3.根据权利要求1所述的能改善沉积膜厚均匀度的静电吸盘装置，其特征在于：所述电极单元包括圆盘状的第一电极件，及围绕所述第一电极件的第二电极件，所述端子单元包括两个分...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁钧凯，杨雅薇，
申请(专利权)人：优贝克科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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