【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆分析测试设备,尤其涉及一种晶圆测试卡盘。
技术介绍
1、由于集成电路的复杂性和应用广泛性,在晶圆厂制造端需要通过晶片允收测试(wafer acceptance test,简称wat,比如测试阈值电压(vt)、源漏击穿电压(bv)、源漏漏电流(ids)和导通电阻(rdson)等参数)来监控产线的工艺过程(process)是否健康,通过wat的测试数据来及时发现晶圆厂在线制程的异常并改善以及及时发现产品的不良并判断是否报废来减少后期封装的成本。
2、测试卡盘是对晶圆进行支撑、固定、温度控制的重要部件。在晶圆测试过程中,卡盘恒定温度保证测试结果准确的重要环节之一。然而,实际中测试卡盘由于电流异常波动、加热电阻丝本身的加工质量缺陷、晶圆支撑板的加工缺陷导致传热不均等因素,卡盘的局部可能会出现温度异常情况,影响晶圆测试结果的准确性。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供一种晶圆测试卡盘,增加了匀热介质,可以改善加热组盘组件局部实际温度异常情况或者缓解整体实际温度进一步升
...【技术保护点】
1.一种晶圆测试卡盘,其特征在于,自上而下,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求1或2所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,所述支撑面板的上表面为承托面;所述承托面上呈同心圆方式开设有若干第一环形凹槽,每个所述第一环形凹槽的槽底上开设有一抽气孔;自所述支撑面板的圆周侧壁起,所述支撑面板内设有一抽气气道,所述抽气气道与全部的所述抽气孔均连通。
4.根据权利要求3所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,所述支撑面板采用无机陶瓷加工而成;所述承托面上先镀有一层厚度为0.5~0.6μm的铜层,然后再镀有一层
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试卡盘,其特征在于,自上而下,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求1或2所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,所述支撑面板的上表面为承托面;所述承托面上呈同心圆方式开设有若干第一环形凹槽,每个所述第一环形凹槽的槽底上开设有一抽气孔;自所述支撑面板的圆周侧壁起,所述支撑面板内设有一抽气气道,所述抽气气道与全部的所述抽气孔均连通。
4.根据权利要求3所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,所述支撑面板采用无机陶瓷加工而成;所述承托面上先镀有一层厚度为0.5~0.6μm的铜层,然后再镀有一层厚度为0.9~1μm的镍层;镍层粗糙度ra≤0.3μm。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆测试卡盘,其特征在于,所述加热盘组件包括:
...
【专利技术属性】
技术研发人员:阳力,张朝磊,
申请(专利权)人:成都畅梵科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。