【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，特别是涉及一种晶圆电镀设备的清洗方法及清洗设备。
技术介绍
1、在半导体制造领域，晶圆制造过程对设备环境的纯净度要求极高。为了确保半导体晶圆的洁净度以及电镀的均匀性，必须对晶圆和电镀设备进行及时且彻底的清洁。然而，目前的清洗流程大多只关注晶圆本身的清洁，只有少数情况下会兼顾电镀腔体的清洗。
2、在实际的电镀操作中，常常会出现一些难以避免的问题。例如，在电镀过程中，少量电镀液可能会从零件的缝隙中渗出，或者在晶圆的装卸过程中，电镀液会滴落在导电环上。这些问题虽然看似微小，但却会对整个电镀过程产生潜在的影响。而现有的清洗方法在处理电镀腔时，往往无法彻底清洁这些细小的缝隙，导致一些残留的电镀液或杂质无法被完全清除。
3、因此，电镀头的导电环在清洁过程中常常被忽视。如果导电环的清洁不到位，可能会导致电镀液受到污染，进而影响电镀过程中的电阻值，最终破坏导电环的电镀均匀性。这种不均匀性可能会导致晶圆表面的电镀质量下降，影响半导体器件的性能和可靠性。
4、应该注意，上面对技术背景的介绍只...
【技术保护点】
1.一种晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：所述第一预备操作包括在各润湿模式中选定其中一种，并对所述清洗设备执行选定的湿润模式，以将清洗设备中的清洁洁具按照预设湿度进行润湿；其中，各湿润模式分别设定为不同的预设湿度。
3.根据权利要求2所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：各湿润模式至少包括0％湿度的润湿模式、50％湿度的润湿模式以及100％湿度的润湿模式。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：执行选定的湿润模式的具体步骤...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：所述第一预备操作包括在各润湿模式中选定其中一种，并对所述清洗设备执行选定的湿润模式，以将清洗设备中的清洁洁具按照预设湿度进行润湿；其中，各湿润模式分别设定为不同的预设湿度。
3.根据权利要求2所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：各湿润模式至少包括0％湿度的润湿模式、50％湿度的润湿模式以及100％湿度的润湿模式。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：执行选定的湿润模式的具体步骤包括：按照选定的湿润模式对应的预设时间设定喷嘴喷射清洁液体至所述清洁洁具的时间，以及，按照选定的湿润模式对应的预设转速设定所述清洁洁具相对导电环的旋转速度。
5.根据权利要求4所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：所述第一清洗操作具体包括：将所述清洗设备中的清洁洁具接触所述导电环并控制所述清洁洁具相对导电环旋转，实现对所述导电环的清洁。
6.根据权利要求4所述的晶圆电镀设备的清洗方法，其特征在于：所述清洗方法还包括，在执行所述第一预备操作的过程中，反馈所述喷嘴喷射至所述清洁洁具的流量，以修正所述第一预备操作的控制参数；和/或，在执行所述第一清洗操作的过程中，反馈所述清洁洁具的接触压力，以修正所...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，印琼玲，王亦天，林鹏鹏，韦永雁，徐亚南，
申请(专利权)人：芯栋微上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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