【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆电镀工艺，具体地，涉及一种提高复合镀层间结合力的晶圆工艺处理设备以及采用该设备所进行的晶圆电镀工艺。
技术介绍
1、晶圆电镀是一种在晶圆表面形成金属薄膜或其他材料薄膜的过程，通过将金属锭或其他材料的圆柱形电极浸入汞中，通过电解的方式将金属或者其他可导电材料沉积到晶圆表面上。
2、晶圆电镀的应用非常广泛，主要被用于半导体器件的制造。随着微电子产业的快速崛起，晶圆电镀技术也得到了快速发展，晶圆电镀过程也越来越复杂和精密。在很多特定的领域需要电镀多层金属并且金属与基材表面和各金属镀层之间结合稳定可靠。因此需要晶圆电镀机器包括前处理、后处理工艺和控制以实现微米级别的薄膜镀层控制和可靠沉积，而解决复合电镀层之间的可靠稳定沉积，控制分子间结合力是关键。
3、晶圆表面处理镀金属或合金的应用之一是为了减缓半导体元器件的腐蚀程度。随着现代科学技术和现代工业的发展，对晶圆防护性镀层的要求越来越高；传统的单层金属(或合金)膜已经不能完全满足要求。目前行业内的常规复合镀层电镀工艺如图1所示，在电镀过程中，在基材上依次镀...
【技术保护点】
1.一种提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，包括一密封处理室，密封处理室内包括若干密封小腔室，密封小腔室由电镀腔和酸洗腔组成，电镀腔用于进行电镀，酸洗腔用于进行酸洗；
2.根据权利要求1所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述密封处理室内设置有两个电镀腔以及一个或两个酸洗腔；两个电镀腔分别为镀铜腔、镀镍腔。
3.根据权利要求2所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述密封处理室内还设置有一个镀金腔。
4.一种提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，包括一密封处理室，密封处理室内包括若干密封小腔室，密封小腔室由电镀腔和酸洗腔组成，电镀腔用于进行电镀，酸洗腔用于进行酸洗；
2.根据权利要求1所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述密封处理室内设置有两个电镀腔以及一个或两个酸洗腔；两个电镀腔分别为镀铜腔、镀镍腔。
3.根据权利要求2所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述密封处理室内还设置有一个镀金腔。
4.一种提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，包括一密封处理室，密封处理室内包括若干集成式电镀酸洗腔；
5.根据权利要求4所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述电镀区设置有进液口、出液口以及溢流口，进液口、出液口以及溢流口均与存放有电镀液的储液槽连通；所述出液口设置有三通阀，三通阀设置有电镀液阀口和废液阀口；所述电镀区底部内壁向中心倾斜呈倒锥状。
6.根据权利要求4所述的提高复合镀层间结合力的晶圆电镀工艺处理设备，其特征在于，所述酸洗区侧壁上还设置有回流槽以及回流槽回流口；回流槽整体为沿酸洗区腔体内壁设置的中空环形，其一端与酸洗区的侧腔壁连接，另一端的上部向上延伸以与酸洗区的侧腔壁之间形成槽部，用于收集酸洗过程中甩出的酸洗废液；回流槽回流口用于排出回流槽收集的酸洗废液。
7.根据权利要求4所述的提高复合...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，姜涛，王铮，韦永雁，
申请(专利权)人：芯栋微上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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