薄膜电容器和具备其的电路基板制造技术

本发明专利技术的技术问题在于，提供一种能够降低端子电极与电容电极的连接电阻的薄膜电容器。本发明专利技术的薄膜电容器(1)具备：埋入绝缘层(31)的电容器(C1)、和过孔导体(11、12)。电容器(C1)包含：设置于电介质层(100)的一个表面(101)的电容电极(111)和虚设电极(112)、以及设置于电介质层(100)的另一个表面(102)的电容电极(121)和虚设电极(122)。过孔导体(11)以与电容电极(111)和虚设电极(122)接触的方式贯通电容器(C1)和绝缘层(31)地设置。过孔导体(12)以与电容电极(121)和虚设电极(112)接触的方式贯通电容器(C1)和绝缘层(31)地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及薄膜电容器和具备其的电路基板。

技术介绍

1、在专利文献1中，公开了由多个薄膜电容器层叠而成的层叠型的薄膜电容器。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-140312号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、专利文献1所记载的薄膜电容器具有端子电极与电容电极的侧面接触的构造。

3、在本公开中，说明一种能够降低端子电极与电容电极的连接电阻的薄膜电容器。

4、解决问题的技术手段

5、本公开的一个方面的薄膜电容器具备：埋入第一绝缘层的电容器；和第一过孔(via)导体和第二过孔导体，其中，电容器包含：具有彼此位于相反侧的第一表面和第二表面的电介质层；设置于电介质层的第一表面的第一电容电极和第一虚设电极；和设置于电介质层的第二表面的第二电容电极和第二虚设电极，第一电容电极与第二电容电极和第二虚设电极重叠，第二电容电极与第一电容电极和第一虚设电极重叠，第一过孔导体以与第一电容电极和第二虚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜电容器，具备：

2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

3.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，

5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，

6.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，

7.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

8.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

9.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

10.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

11.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种薄膜电容器，具备：

2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

3.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，

5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，

6.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，

7.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐田仁，加泽利益，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：