【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术（根据本公开的技术）涉及半导体装置和电子设备，并且特别是涉及对于具有场效应晶体管的半导体装置和提供有该半导体装置的电子设备的应用有用的技术。
技术介绍
1、其中具有三维形状的半导体部分设置有栅电极的场效应晶体管被称为安装在半导体装置中的场效应晶体管。专利文献1公开了鳍型场效应晶体管（fin-fet）和具有全环绕栅极（gaa：gate all around）结构的场效应晶体管，鳍型场效应晶体管设置有在半导体部分的三个面（上表面和两个侧面）上的栅电极，并且在具有全环绕栅极结构的场效应晶体管中，栅电极遍及半导体部分的四个面（上表面、下表面和两个侧表面）设置。
2、另一方面，专利文献1公开了一种通过提供使半导体鳍片变形的应力衬垫来提高载流子迁移率的技术。
3、引用文献列表
4、专利文献
5、专利文献1：wo 2020/262643
6、专利文献2：jp 2007-242737 a
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
11.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，进一步包括：
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
18.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
19.一种半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：本庄亮子，菊池善明，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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