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本发明增加了场效应晶体管的互导。半导体装置包括：半导体部分，其具有上表面和侧面；场效应晶体管，其具有设置在半导体部分的上表面和侧面上栅电极；以及应力部分，其设置在半导体部分的上表面和栅电极之间，并且应力部分在半导体部分中产生在流过半导体部分...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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