背部金属层的返工方法技术

本申请公开了一种背部金属层的返工方法，包括：将晶片浸泡在酸溶液中持续第一时间，晶片背面形成有背面金属层；将晶片浸泡在水中持续第二时间，第二时间大于第一时间；重复上述步骤至少两次；通过DHF溶液对晶片进行清洗，持续第三时间，第三时间小于第一时间；将晶片浸泡在酸溶液中持续第四时间后对晶片进行水洗，第四时间大于第二时间；通过湿法刻蚀工艺对晶片背面进行处理；在晶片背面形成背面金属层。本申请通过至少两次的交替酸溶液浸泡和水浸泡对背面金属层进行去除处理，从而缩短了单次酸洗的时间，从而降低了酸液挂壁和金属元素和酸反应生成的钝化层导致的金属富集所产生的酸洗缺陷的问题，提高了产品的可靠性和制造效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种背部金属层的返工方法。

技术介绍

1、在半导体集成电路的制作工艺中，通常需要在晶片背面形成背面金属层作为引出电极，当背面金属层在芯片探针(chip probe，cp)测试中存在异常时，需要对其进行返工处理，去除晶片背面的金属层。

2、相关技术中，背面金属层的返工工艺包括以下步骤：先对背面金属层进行酸洗，随后通过湿法刻蚀工艺刻蚀背面表面的部分晶片层，进而在晶片背面重新形成背面金属层对其进行cp测试。然而，在对背面金属层进行酸洗后，存在部分区域酸洗不完全的现象，其表现为酸洗纹、白点和色差，从而影响器件产品的可靠性。

技术实现思路

1、本申请提供了一种背部金属层的返工方法，可以解决相关技术中提供的背部金属层的返工方法容易产生酸洗缺陷的问题，该方法包括：

2、将晶片浸泡在酸溶液中持续第一时间，所述晶片背面形成有背面金属层；

3、将所述晶片浸泡在水中持续第二时间，所述第二时间大于所述第一时间；

4、重复上述步骤至少两次；

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【技术保护点】

1.一种背部金属层的返工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸溶液包括硝酸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述背面金属层包括银金属层和镍金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在通过DHF溶液对所述晶片进行清洗之前银金属层和镍金属层被去除。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述背面金属层包括钛金属层，或钛金属层和铝金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过DHF溶液对所述晶片进行清洗后，钛金属层被去除，或钛金属层和铝金属层被去除。

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【技术特征摘要】

1.一种背部金属层的返工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸溶液包括硝酸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述背面金属层包括银金属层和镍金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在通过dhf溶液对所述晶片进行清洗之前银金属层和镍金属层被去除。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述背面金属层包括钛金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张皓，沈家伟，李欢，付先达，许有超，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：