一种碎裂碳化硅晶锭修复方法技术

本发明专利技术公开了一种碎裂碳化硅晶锭修复方法，包括：将多片碳化硅碎片拼接形成整体的碳化硅晶锭，先采用液相诱导愈合工艺促使宏观裂纹开口愈合，之后采用原位气相渗透工艺填充裂纹周围的微观孔隙，实现碎裂碳化硅晶锭的裂纹修复。以上提供的碎裂碳化硅晶锭修复方法，采用液相诱导愈合工艺，利用液态硅与碳化硅反应填充缝隙后冷却形成新的碳化硅键合，促使宏观裂纹开口闭合，之后采用原位气相渗透工艺，利用硅源和碳源在微观孔隙中沉积渗透碳化硅构建化学共价网络，实现碳化硅晶锭裂纹修复。该方法通过物理重构与化学键合实现碎裂晶锭的修复，恢复其力学与电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体修复，具体而言，涉及一种碎裂碳化硅晶锭修复方法。

技术介绍

1、碳化硅单晶是制备高温、高频、高功率器件的关键材料，但其生长工艺复杂，晶体易因热应力不均或冷却速率不当产生内部裂纹或局部碎裂。目前，碎裂晶锭通常直接废弃，导致材料利用率低、生产成本高昂。少数修复方法(如粘接局部熔融)存在修复强度不足、电学性能劣化或无法兼容后续切磨抛工艺等问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种碎裂碳化硅晶锭修复方法。

2、本专利技术解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

3、本专利技术提供一种碎裂碳化硅晶锭修复方法，包括：将多片碳化硅碎片拼接形成整体的碳化硅晶锭，先采用液相诱导愈合工艺促使宏观裂纹开口愈合，之后采用原位气相渗透工艺填充裂纹周围的微观孔隙，实现碎裂碳化硅晶锭的裂纹修复。

4、本专利技术具有以下有益效果：

5、本专利技术提供一种碎裂碳化硅晶锭修复方法。包括：将多片碳化硅碎片拼接形成整体的碳化硅晶锭，先采用液相诱导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，包括：将多片碳化硅碎片拼接形成整体的碳化硅晶锭，先采用液相诱导愈合工艺促使宏观裂纹开口愈合，之后采用原位气相渗透工艺填充裂纹周围的微观孔隙，实现碎裂碳化硅晶锭的裂纹修复。

2.根据权利要求1所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，所述液相诱导愈合处理包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述预压处理的温度为800-1200℃，压力为10-30MPa，处理气氛为真空气氛。

4.根据权利要求3所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，还包括：在所述预压处理前...

【技术特征摘要】

1.一种碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，包括：将多片碳化硅碎片拼接形成整体的碳化硅晶锭，先采用液相诱导愈合工艺促使宏观裂纹开口愈合，之后采用原位气相渗透工艺填充裂纹周围的微观孔隙，实现碎裂碳化硅晶锭的裂纹修复。

2.根据权利要求1所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，所述液相诱导愈合处理包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述预压处理的温度为800-1200℃，压力为10-30mpa，处理气氛为真空气氛。

4.根据权利要求3所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，还包括：在所述预压处理前，在惰性气氛中，对所述碳化硅晶体的裂纹面进行等离子体刻蚀，以去除氧化层并形成纳米级粗糙表面。

5.根据权利要求2所述的碎裂碳化硅晶锭修复方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述液相诱导愈合处理的温度为1500-1700℃，处理气氛为惰性...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨双泽，牛玉龙，林亮，严海超，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：