一种用于软磁合金的化学机械抛光液及抛光方法技术

本申请公开了一种用于软磁合金的化学机械抛光液及抛光方法，抛光液由下列重量百分比的原料组分组成：螯合剂1.3wt％～1.8wt％、磨料10wt％～13wt％、pH缓冲剂7wt％～9wt％、缓蚀剂3wt％～3.5wt％、氧化剂11wt％～13wt％和余量的去离子水，磨料为酸性硅溶胶，氧化剂为过氧化氢，缓蚀剂为甘氨酸、聚天冬氨酸、谷氨酸、壳聚糖中的至少一种，抛光液的pH为3～5，pH缓冲剂为柠檬酸‑柠檬酸钠缓冲液；抛光方法包括以下几个步骤：对软磁合金进行研磨；利用粗抛光浆料对研磨后的软磁合金进行化学机械抛光粗抛光；利用上述的抛光液对粗抛光后的软磁合金进行化学机械抛光精抛光，得到具有光滑平整表面的软磁合金。该抛光液绿色环保无污染，抛光后软磁合金的表面光滑平整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属加工的，尤其涉及一种用于软磁合金的化学机械抛光液及抛光方法。

技术介绍

1、软磁合金主要由铁(fe)、铬(cr)、硅(si)、铝(al)等元素构成,其凭借其高磁导率、低矫顽力以及低磁滞损耗等优异特性，在电子信息、电力传输、航空航天以及精密仪器制造等众多关键领域中占据着不可或缺的地位，是各种精密仪器和导航设备、电机、传感器、磁记录头等设备的关键材料。随着科技的不断进步，对软磁合金表面质量和精度的要求日益提高，表面质量直接影响软磁合金的磁性能、耐腐蚀性和使用寿命。

2、化学机械抛光(cmp)是一种将化学反应和机械去除相结合的超精密加工工艺，通过抛光垫、抛光浆和工件之间的耦合作用，对工件表面进行连续的精加工，能够有效去除工件表面的微观缺陷，降低表面粗糙度，提高表面平整度，从而满足软磁合金在高端应用中的严格要求。

3、抛光液作为化学机械抛光(cmp)技术的核心组成部分，其性能直接决定了材料表面加工的质量、效率及环境友好性。传统cmp过程中使用的抛光液通常含有大量的化学试剂，如强氧化剂、酸碱等，这些化学试剂在完成抛光任务后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液由下列重量百分比的原料组分组成：螯合剂1.3wt％～1.8wt％、磨料10wt％～13wt％、pH缓冲剂7wt％～9wt％、缓蚀剂3wt％～3.5wt％、氧化剂11wt％～13wt％和余量的去离子水，所述磨料为酸性硅溶胶，所述氧化剂为过氧化氢，所述缓蚀剂为甘氨酸、聚天冬氨酸、谷氨酸、壳聚糖中的至少一种，所述抛光液的pH为3～5，所述pH缓冲剂为柠檬酸-柠檬酸钠缓冲液。

2.如权利要求1所述的用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于：所述螯合剂为草酸或腐殖酸。

3.如权利要求1所述的用于软磁合金的化学机械抛...

【技术特征摘要】

1.一种用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液由下列重量百分比的原料组分组成：螯合剂1.3wt％～1.8wt％、磨料10wt％～13wt％、ph缓冲剂7wt％～9wt％、缓蚀剂3wt％～3.5wt％、氧化剂11wt％～13wt％和余量的去离子水，所述磨料为酸性硅溶胶，所述氧化剂为过氧化氢，所述缓蚀剂为甘氨酸、聚天冬氨酸、谷氨酸、壳聚糖中的至少一种，所述抛光液的ph为3～5，所述ph缓冲剂为柠檬酸-柠檬酸钠缓冲液。

2.如权利要求1所述的用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于：所述螯合剂为草酸或腐殖酸。

3.如权利要求1所述的用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于：所述酸性硅溶胶中二氧化硅的含量占比为30％，酸性硅溶胶的粒径为10nm～20nm。

4.如权利要求1所述的用于软磁合金的化学机械抛光液，其特征在于：所述柠檬酸-柠檬酸钠缓冲液由柠檬酸和柠檬酸钠按质量比为(0.5～1.5)：(2～4)混合而成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振宇，解田耀，周红秀，孙涛，田英豪，
申请(专利权)人：新昌县天姥实验室，
类型：发明
国别省市：