【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别涉及一种电磁屏蔽封装模组、电磁屏蔽封装方法和电子产品。
技术介绍
1、随着sip(系统级)封装技术的快速发展,电子产品功能越来越复杂,然而这类sip封装产品中的各模块(或者各器件)之间的电磁干扰问题越发突出。电磁屏蔽技术就是利用金属屏蔽体对电磁波的吸收和金属波的反射的效果,能够有效减弱sip封装产品内部的电子元器件之间以及电子元器件与外部环境之间的电磁干扰。
2、目前,为了解决sip封装产品内部的电子元器件之间的电磁干扰问题,通常采用以下方法:先将各个电子元器件贴片到基板上,然后采用塑封工艺对基板上的所有需要塑封的电子元器件进行塑封(即整体塑封),之后对塑封体进行开槽,露出基板上的接地铜层,形成相互干扰的电子元器件之间的凹槽,之后在凹槽内灌入导电填料形成溅镀屏蔽墙,溅镀屏蔽墙与接地铜层电性连接,最后采用导电材料在塑封体的表面制作共型屏蔽层,以将电子元器件与外部环境中的干扰源隔离开。该方法中,灌入的导电填料通常为高密度的导电材料(比如导电银浆),因而产品的重量较高。
技术实
...【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽封装模组,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述溅镀屏蔽墙的厚度范围为2μm-20μm;和/或,
3.如权利要求1所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述电子模块包括依次间隔设置在所述基板上的第一电子模块、第二电子模块和第三电子模块;
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述第一溅镀屏蔽墙包括相连接的第一溅镀屏蔽段和第二溅镀屏蔽段,所述第一溅镀屏蔽段覆盖所述间隙,所述第二溅镀屏蔽段覆盖所述第一塑封体远离所述基板的表面;
5.如权利要求1至4中任一项所述
...【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽封装模组,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述溅镀屏蔽墙的厚度范围为2μm-20μm;和/或,
3.如权利要求1所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述电子模块包括依次间隔设置在所述基板上的第一电子模块、第二电子模块和第三电子模块;
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,所述第一溅镀屏蔽墙包括相连接的第一溅镀屏蔽段和第二溅镀屏蔽段,所述第一溅镀屏蔽段覆盖所述间隙,所述第二溅镀屏蔽段覆盖所述第一塑封体远离所述基板的表面;
5.如权利要求1至4中任一项所述的电磁屏蔽封装模组,其特征在于,定义所述塑封体的厚度为h1,所述电子模块的厚度为h0,则满足40μm≤(h1-h0)≤500μm。
6.一种电磁屏蔽封装方法,其特征在于,包括以下步骤:...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋杰,
申请(专利权)人:歌尔微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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