一种引线框架原材料表面处理方法技术

本发明专利技术提供一种引线框架原材料表面处理方法，包括：提供预处理后的引线框架原材料；将所述预处理后的引线框架原材料置于预镀铜液中，并在所述预镀铜液中施加超声波场，在所述超声波场作用下于所述引线框架原材料表面预镀铜层；对预镀铜层的所述引线框架原材料的出料端进行红外加热，得到具有所需表面状态的引线框架原材料。本发明专利技术可以形成均匀致密的预镀铜层，提高后续电镀效果，并实现高性能引线框架的规模化制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体引线框架领域，具体地，涉及一种引线框架原材料表面处理方法。

技术介绍

1、半导体引线框架是一种实现集成电路芯片内部电路与外部电路连接、并形成电气回路的关键结构件，其表面镀层的均匀性、结合强度及平整度直接决定了芯片的封装可靠性和电性能。

2、现有工艺中，引线框架在电镀前，通常需要对其表面进行前处理，包括：除油脱脂、酸洗、水洗和烘干。该工艺中的引线框架原材料压延铜箔表面未经过特殊处理，而压延铜箔表面自带压延纹路且易氧化，导致压延铜箔基材对压膜的表面结合力差，进而影响后续电镀的银镀层表面均匀性和平整性。另一方面，现有前处理工艺中存在酸洗后的水洗效率不足的情况，残留化学物质(如酸液等)易污染后续电镀液，引发镀层局部异常沉积，加剧表面不均匀性，严重影响引线框架的可封装性能。

3、有研究者尝试改进这些技术的不足，专利cn101314832a通过先在基材表面预镀铜，再镀镍和铜，形成铜-镍-铜三层镀层，来改善引线框架的可封装性能，然而此方式未充分考虑预镀层的均匀性控制，不同金属的电镀效果都会受到电镀过程中的电流、温度、电镀溶液浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，将所述预处理后的引线框架原材料置于预镀铜液中，其中，所述预镀铜液包括如下重量百分比的组分：硫酸铜10％～20％，硫酸5％～10％，氯离子0.01％～0.05％，光亮剂0.1％～0.5％，整平剂0.05％～0.1％，余量为水。

3.根据权利要求2所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、亚乙基硫脲和糖精钠中的一种或多种；所述整平剂为聚丙烯酰胺、聚乙烯亚胺和聚乙二醇中的一种或多种。

4.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，将所述预处理后的引线框架原材料置于预镀铜液中，其中，所述预镀铜液包括如下重量百分比的组分：硫酸铜10％～20％，硫酸5％～10％，氯离子0.01％～0.05％，光亮剂0.1％～0.5％，整平剂0.05％～0.1％，余量为水。

3.根据权利要求2所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、亚乙基硫脲和糖精钠中的一种或多种；所述整平剂为聚丙烯酰胺、聚乙烯亚胺和聚乙二醇中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，所述在所述预镀铜液中施加超声波场，其中：所施加的超声波场的频率为10khz～100khz。

5.根据权利要求1所述的引线框架原材料表面处理方法，其特征在于，所述在所述超声波场作用下于所述引线框架原材料表面预镀铜层，其中：温度为15℃～35℃，时间为1分钟～10分钟，电流密度为0.1a/dm2～4a/dm2。

【专利技术属性】
技术研发人员：王开旭，田书鼎，李金库，唐世豪，
申请(专利权)人：浙江宏丰半导体新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：