太阳能电池及其制造方法技术

一种太阳能电池，其包含在基板上的第一电极；在第一电极上的多个支柱；在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电极的表面积；及在半导体层上方的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及具有改良光吸收效率的太阳能电池 及该太阳能电池的制造方法。
技术介绍
为响应石化燃料之枯竭及预防环境污染，例如太阳能的洁净能源已备 受瞩目；尤其，用以将太阳能转换成电能的太阳能电池已被迅速开发出来。 太阳能电池可分成太阳热电池(solarthermal cell)及光伏太阳能电池，太阳热 电池利用太阳热能产生用以转动涡轮的蒸气，而光伏太阳能电池则利用半 导体将太阳光子转换成电能。在这些太阳能电池之中，广泛地开发出利用正(P)型半导体之电子及 负(N)型半导体之空穴(hole)而吸收光并将光转换成电能之光伏太阳能电 池。此后，即称光伏太阳能电池为太阳能电池。利用半导体的太阳 能电池具有与PN结二级管实质上相同的结构。当 光照射在P型半导体与N型半导体之间的部分上时，在半导体中之电子及 空穴即因光能而被诱导出来。 一般而言，当被照射到能量小于半导体之带 隙能量的光时，电子及空穴具有微弱互动作用；另一方面，当被照射到能 量小于半导体之带隙能量的光时，在共价键中之电子受到激发而形成作为 载体之电子-空穴对。由光所产生之载体因重组而具有稳态，由光所产生之 电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其包含：　在基板上的第一电极；　在第一电极上的多个支柱；　在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电极的表面积；及　在半导体层上方的第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-5-30 10-2007-0052665;KR 2007-10-31 10-20071.一种太阳能电池，其包含在基板上的第一电极；在第一电极上的多个支柱；在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电极的表面积；及在半导体层上方的第二电极。2. 权利要求l的太阳能电池，其中所述半导体层包含掺杂正型杂质的 半导体材料的第一半导体层、本征半导体材料的第二半导体层、及掺杂负 型杂质的半导体材料的第三半导体层，且其中第一半导体层面对所述多个 支柱，而第二半导体层位于第一及第三半导体层之间。3. 权利要求2的太阳能电池，其中所述基板由玻璃形成，第一电极由 氧化锡及氧化锌之一形成，且第二电极由不透明金属材料形成。4. 权利要求2的太阳能电池，其还包含设置于第三半导体层与第二电 极之间的反射层。5. 权利要求4的太阳能电池，其中所述反射层由氧化锌形成。6. 权利要求l的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有圆 形、卵圆形、及十字形之一。7. 权利要求l的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有包 含第一轴及第二轴的十字形，且还包括连接十字形第一轴的一端与十字形 的第二轴的末端的连接线，该连接线具有弯曲形状。8. 权利要求1的太阳能电池，其中将所述多个支柱设置成第一行及第 二行，且第一行中的支柱与第二行中的支柱交替设置。9. 权利要求l的太阳能电池，其中所述多个支柱由硅氧化物、硅氮化 物及透明光敏材料之一形成。10. —种制造太阳能电池的方法，其包含 在基板上形成第一电极； 在第一电极上形成多个支柱；在第一电极上形成半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电 极的表面积；及在该半导体层上方形成第二电极。11. 权利要求10的方法，其中形成该半导体层的步骤包含 形成掺杂正型杂质的半导体材料的第一半导体层，其面对所述多个支柱；在第一半导体层上形成本征半导体材料的第二半导体层；及 在第二半导体层上形成掺杂负型杂质的半导体材料的第三半导体层。12. 权利要求11的方法，其还包含在第三半导体层与第二电极之间形 成反射层。13. —种太阳能电池，其包含 在基板表面上的多个支柱；在所述具有多个支柱的基板的表面上的第一电极； 在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于基板的表面 积；及位于该半导体层上方的第二电极。14. 权利要求13的太阳能电池，其中所述半导体层包含掺杂正型杂质 的半导体材料的第一半导体层、本征半导体材料的第二半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪震，金宰湖，申傛禹，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]