基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法技术

本发明专利技术是一种基于遗传算法的电子束光刻版图校正方法，旨在通过优化版图设计提升曝光后图形的质量。本方法先读取待校正版图划分为多个矩形区域，并根据预设的像素大小映射为版图矩阵；然后计算能量分布矩阵，调整各矩形区域的尺寸进行全局校正至收敛；最后针对调整区域进行离散化填充，利用遗传算法以像素为种群个体，通过迭代优化选取最优像素分布，从而实现局部区域的精细化校正。同时在解空间采用上下采样缩小搜索范围，并采用动态适应度函数减少迭代次数。本发明专利技术利用简单校正和精准校正实现了版图的分级优化，具有高校正精度和高计算效率的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算光刻，特别涉及一种基于遗传算法的电子束光刻版图校正方法。该方法通过优化版图设计，有效减少电子束光刻过程中邻近效应对图形质量的负面影响，适用于微机电系统(mems)、光刻掩模版及光电子器件等高精度制造领域，能够实现纳米级甚至亚纳米级的图形校正。

技术介绍

1、电子束光刻(electron beam lithography，ebl)是一种高分辨率的无掩模光刻技术，广泛应用于微机电系统(mems)、光刻掩模版及光电子器件的制造领域，能够实现纳米级甚至亚纳米级的图形精度。该技术通过聚焦电子束对光刻胶进行曝光，随后通过显影去除已曝光或未曝光区域，从而形成目标图形。然而，随着工艺节点尺寸不断缩小，曝光过程中产生的邻近效应(proximity effect，pe)对最终显影图形的影响愈发显著，成为制约图形精度的关键因素。邻近效应主要由电子在光刻胶和基底中发生的前向散射(forwardscattering)和背向散射(backward scattering)引起，导致图形附近未曝光区域发生能量沉积，进而引发图形畸变。

2、目前，针对邻近效应的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，所述步骤1中，顶点坐标的映射公式为：

3.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，所述步骤3中能量沉积矩阵E(x,y)的计算采用双高斯函数作为单电子束的能量分布点扩散函数f(r)，表达式为：

4.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，所述步骤4中矩形边长的调整公式为：

5.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版...

【技术特征摘要】

1.一种基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，所述步骤1中，顶点坐标的映射公式为：

3.根据权利要求1所述的基于遗传算法的电子束光刻版图分级校正方法，其特征在于，所述步骤3中能量沉积矩阵e(x,y)的计算采用双高斯函数作为单电子束的能量分布点扩散函数f(r)，表达式为：

4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄弘炜，李思坤，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：