【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算机存储，更具体地说，涉及一种高裕度磁存储器感知放大电路。
技术介绍
1、自旋轨道转矩磁随机存取存储器（spin-orbit torque magnetic random accessmemory，sot-mram）作为第三代磁存储技术，通过自旋轨道矩效应实现高速、低功耗的非易失性存储。其核心机制为：sot-mram利用面内电流驱动的自旋轨道矩（spin-orbit torque,sot）改变磁性隧道结（mtj）的磁化方向，实现数据写入；其核心器件为三端结构，将读写路径分离，避免了传统stt-mram因电流穿过隧道结导致的寿命限制；关于自旋流生成，通过重金属层（如钨、铂）中的自旋霍尔效应或rashba效应，将普通电流转化为自旋极化电流，进而施加力矩翻转自由层磁化方向。这一过程无需外部磁场，显著降低功耗；其读取原理为：通过测量mtj的隧道磁阻（tmr）差异（高/低阻态对应“0”和“1”），结合动态传感技术（如时间域或电压域检测）提升读取可靠性；其具有高速读写、低功耗、高耐久性、可与先进cmos工艺（如14nm、28nm）集...
【技术保护点】
1.一种高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，包括自旋轨道转矩磁随机存取存储器、延时控制单元、采样保持单元和放大锁存单元；所述自旋轨道转矩磁随机存取存储器、延时控制单元、采样保持单元和放大锁存单元依次进行电连接。
2.根据权利要求1所述的高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，所述自旋轨道转矩磁随机存取存储器包括数据单元和参考单元，所述数据单元为存储实际数据的最小单元，所述参考单元包括并联连接的两列自旋轨道转矩单元，其中第一列由串联连接的P态单元和AP态单元组成，第二列由串联连接的AP态单元和P态单元组成，所述两列并联连接，以形成介于P态电阻与AP态电阻
【技术特征摘要】
1.一种高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，包括自旋轨道转矩磁随机存取存储器、延时控制单元、采样保持单元和放大锁存单元；所述自旋轨道转矩磁随机存取存储器、延时控制单元、采样保持单元和放大锁存单元依次进行电连接。
2.根据权利要求1所述的高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，所述自旋轨道转矩磁随机存取存储器包括数据单元和参考单元，所述数据单元为存储实际数据的最小单元，所述参考单元包括并联连接的两列自旋轨道转矩单元，其中第一列由串联连接的p态单元和ap态单元组成，第二列由串联连接的ap态单元和p态单元组成，所述两列并联连接，以形成介于p态电阻与ap态电阻之间的中间阻值。
3.根据权利要求1所述的高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，所述延时控制单元包括数据支路、参考支路和控制电路。
4.根据权利要求3所述的高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，所述控制电路包括与非门、第1电容c1、第2电容c2、第一nmos晶体管n1、第二nmos晶体管n2、第三nmos晶体管n3、第四nmos晶体管n4、第一pmos晶体管p3、第二pmos晶体管p4。
5.根据权利要求4所述的高裕度磁存储器感知放大电路，其特征在于，所述数据支路包括依次串联的第1逆变...
【专利技术属性】
技术研发人员：左超，郭喆，李林海，宋敏，游龙，沈茂康，王建勋，陈盟，王作帅，肖涵琛，李子圆，王司霖，杨喆瑜，陈志伟，耿攀，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七一九研究所，
类型：发明
国别省市：
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