【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及废气处理设备的相关，尤其是涉及半导体废气处理装置。
技术介绍
1、半导体制程产生的废气中含有高侵蚀性氟化气体（如nf3、cf4等），需经高温火焰燃烧（通常＞1000℃）分解为无害物质。然而，燃烧产物中的游离氟离子会严重侵蚀炉壁，同时生成的金属氧化物灰烬（如al2o3、sio2颗粒）在高温气流裹挟下会附着于炉体内壁，在长时间的侵蚀作业下，炉壁受蚀导致金属基体粗糙化，加速灰烬附着，形成以氟化盐（如na和alf6）为粘接剂的硬化复合垢层（厚度可达10mm以上），需停机清垢，维护周期短，严重影响废气的处理作业。
2、基于该现状，现有技术如专利cn03265748.x公开的一种具火焰通道的半导体废气处理装置，提出在炉体内喷洒雾化水气，通过水雾与氟离子反应生成氢氟酸（hf）以避免氟离子对炉体内壁的腐蚀，同时水雾还能捕集灰烬形成水滴后排出。
3、上述方案在实际工业应用中，能一定程度上减缓炉壁受蚀与卡垢，但也面临显著局限：
4、雾化水气对氟离子的反应和对灰烬的凝并效率均有限，申请人研究发现这是由于炉体内...
【技术保护点】
1.半导体废气处理装置，其特征在于，包括炉体，所述炉体内一端为燃烧区域，另一端为敞口端，所述炉体侧部开设靠近所述燃烧区域的废气入口和靠近所述敞口端的废气出口，所述燃烧区域内设置有雾化喷头；
2.根据权利要求1所述的半导体废气处理装置，其特征在于，所述气雾混合装置包括若干板件，若干所述板件沿所述炉体的轴向分布，每个所述板件沿所述炉体的径向延伸，至与所述炉体的内壁连接，将所述炉体的腔体分割为若干所述腔室，所述过流孔开设在所述板件上。
3.根据权利要求2所述的半导体废气处理装置，其特征在于，每个所述板件上均开设有过流面积不同的若干所述过流孔。
...【技术特征摘要】
1.半导体废气处理装置，其特征在于，包括炉体，所述炉体内一端为燃烧区域，另一端为敞口端，所述炉体侧部开设靠近所述燃烧区域的废气入口和靠近所述敞口端的废气出口，所述燃烧区域内设置有雾化喷头；
2.根据权利要求1所述的半导体废气处理装置，其特征在于，所述气雾混合装置包括若干板件，若干所述板件沿所述炉体的轴向分布，每个所述板件沿所述炉体的径向延伸，至与所述炉体的内壁连接，将所述炉体的腔体分割为若干所述腔室，所述过流孔开设在所述板件上。
3.根据权利要求2所述的半导体废气处理装置，其特征在于，每个所述板件上均开设有过流面积不同的若干所述过流孔。
4.根据权利要求3所述的半导体废气处理装置，其特征在于，每个所述板件上开设的若干所述过流孔即沿着所述板件的周向分布，又沿着所述板件的径向分布，相邻所述板件上开设的所述过流孔之间错位。
5.根据权利要求2~4任一项所述的半导体废气处理装置，其特征在于，所述气雾混合装置还包括将所有所述板件串联的支撑轴，所述支撑轴贯穿所有所述板件后，一端延伸至所述炉体内的中部，另一端延伸至所述炉体的敞口端，与所述炉体固定连接。
6.根据权利要求5所述的半导体废气处理装置，其特征在于，所述支撑轴的一端延...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘政宇，潘兴良，蒋平，胥志伟，
申请(专利权)人：江苏天兴环保股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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