一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法技术

本发明专利技术属于SiC材料制备技术领域，本发明专利技术公开了一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法；创新地把前驱体转化法与微波加热结合在一起合成碳化硅粉体。借助SiOC体系的前驱体为原料，液态的前驱体与碳粉经搅拌充分混合，经固化、成型后，可获得强度高的坯体；在热解过程中前驱体坯体会发生陶瓷化转变为纳米尺度的SiOC系列基团，与碳粉在微波作用下迅速反应，合成SiC陶瓷粉体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于sic材料制备，具体涉及一种前驱体转化结合微波制备sic陶瓷粉体的方法。

技术介绍

1、碳化硅（sic）具有高模量、高硬度、耐磨、耐热等特点，具有优异的光学、电学、力学、磁性等性能，是有着很好应用前景的半导体材料之一，被广泛应用于航空航天、核潜艇、纳米材料、光学器件等高端领域，发展潜力巨大。

2、目前碳化硅（sic）的常用制备方法有热压烧结、化学气相反应法、碳热还原法、溶胶凝胶法、等静压烧结以及溶剂热合成法等方法。sic的合成方法多种多样，但存在耗能大、工艺复杂、成本高、质量差、无法批量生产等不足。

3、cn108383530a一种zrb2-sic陶瓷复合粉体的前驱体转化法制备工艺，记载了采用无机盐溶液与有机碳溶液结合制备硼硅锆前驱体溶液，之后在高温下热处理合成zrb2-sic复合粉体。

4、本专利技术则是直接利用具有si-c链的有机硅前驱体与碳粉复合，借助有机硅的液态和交联固化属性进行成型，利用碳的吸波特性进行微波加热，制备高纯碳化硅粉体。本专利技术创新地把前驱体转化法与微波烧结结合在一起，由于前驱体热解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法，其特征在于：步骤一中的聚氢甲基硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷的质量比为1:1。

3.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法，其特征在于：步骤二中的碳粉为分析纯级别，碳粉粒径为1-50μm；碳与前驱体混合物A的质量比为1：4.6~6。

4.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微波制备SiC陶瓷粉体的方法，其特征在于：步骤二中的催化剂为Pt贵金属型催化剂、Pt-C催化剂、铂基...

【技术特征摘要】

1.一种前驱体转化结合微波制备sic陶瓷粉体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微波制备sic陶瓷粉体的方法，其特征在于：步骤一中的聚氢甲基硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷的质量比为1:1。

3.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微波制备sic陶瓷粉体的方法，其特征在于：步骤二中的碳粉为分析纯级别，碳粉粒径为1-50μm；碳与前驱体混合物a的质量比为1：4.6~6。

4.根据权利要求1所述的一种前驱体转化结合微...

【专利技术属性】
技术研发人员：董宾宾，秦峰，闵志宇，李豪，王黎，魏佳炜，殷超凡，赵鹏博，万众，胡秋波，郅真真，孙倩，陈金龙，郑希辰，白帆，张锐，
申请(专利权)人：洛阳理工学院，
类型：发明
国别省市：