半导体开关制造技术

技术编号：46046959 阅读：19 留言：0更新日期：2025-08-11 15:36

提出了一种半导体开关，该半导体开关利用多个串联连接的电路模块形成。这些电路模块分别包括具有源接头（source3）、控制接头（Gate3）和低电位端接头的第一晶体管（M3）以及具有源接头、控制接头和低电位端接头的第二晶体管（Q2）。在此，第二晶体管（Q2）的源接头与第一晶体管（M3）的控制接头（Gate3）连接，并且第二晶体管（Q2）的低电位端接头与第一晶体管（M3）的源接头（source3）连接。还设置有驱动器（V2），该驱动器通过连接与各个电路模块的第二晶体管（Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6）的控制接头连接。对于多个电路模块的子集，在相应的与驱动器的连接中引入了用于降低第一晶体管的控制接头电压的装置。这种措施使得能够更好地设置最大短路电流或者在根据本发明专利技术的半导体开关有缺陷时实现更加受控的过程。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体开关。

技术介绍

1、半导体构件研发的进步带来了新的开关概念，这些新的开关概念可以代替传统的、通常以机电技术构建的低压技术的开关。这些新的概念例如涉及保护开关或电机启动器，但是原则上例如也可以用于较大电流的通断，例如通过断路器。在保护开关和断路器中，sscb（solid-state circuit breaker，固态断路器）这一称谓也很常见。

2、在此，最重要的是半导体构件的快速响应时间，通过半导体构件的快速响应时间来避免由于过载而造成损坏。也就是说，开关在半导体构件可能损毁之前切断电流。虽然如此，也由于与传统的开关元件相比半导体构件具有更高的灵敏度，可能发生基于半导体的开关机制受到损坏，并且开关不再能够正常工作。

3、一种用于实现具有相对较小的导通损耗的半导体开关的有效的可能性是，将半导体开关实施为晶体管（例如mosfet或igbt）的串联电路。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是，改进利用晶体管的串联电路形成的开关。