一种叠层存储芯片连接系统、方法及设备技术方案

本发明专利技术提供一种叠层存储芯片连接系统、方法及设备，系统包括：一叠层芯片组，以及与所述第一叠层芯片组相同的多个叠层芯片组；所述第一叠层芯片组包括多个存储芯片，多个所述存储芯片包括第一芯片、第二芯片和第三芯片，所述第一芯片、第二芯片和所述第三芯片层叠设置；所述第一芯片与所述第二芯片通过金线焊接，所述第三芯片设置有TSV通孔，所述TSV通孔两端分别设置有微型金属凸起和下侧植球，所述第二芯片与所述第三芯片通过所述微型金属凸起连接，所述第三芯片通过所述下侧植球与基板连接。本发明专利技术结合了硅通孔技术和金线焊接技术，取代了传统金线连接通过金手指与基板互连，缩小了基板的面积，并缩短了互连长度，进而降低了信号延迟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片存储，尤其涉及一种叠层存储芯片连接系统、方法及设备。

技术介绍

1、硅通孔技术(through silicon via)，又称为tsv技术，是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通的技术，由于可以大幅缩短电互连长度与信号延迟、提高电性能，被视为未来堆叠芯片互连，尤其是堆叠存储芯片最好的解决方案。但是tsv在高密度堆叠芯片散热方面表现不佳，且目前tsv成本较高，技术难度大，市场上相关应用较少。

2、因此，市面上常用的一般为金线焊接技术(wire bonding)，又称为wb技术，是通过金线将芯片的引脚与封装基板上的引脚进行焊接连接的技术，封装基板上的引脚一般采用金手指，利用wb技术的堆叠芯片互连技术由于成本低廉、散热性好，应用十分广泛，技术已很成熟。但是wb技术的信号引线很长，在毫米级别，信号延迟较高，随着高速信号的迅猛发展，单一的wb互连技术越来越不能匹配低延迟传输的要求。并且，单一采用wb技术的堆叠芯片面积占比较大，导致所需基板面积大，不能匹配芯片小型化的趋势。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种叠层存储芯片连接系统，其特征在于，包括：第一叠层芯片组，以及与所述第一叠层芯片组相同的多个叠层芯片组；

2.根据权利要求1所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述第一芯片包括第四芯片与多个第五芯片，多个所述第五芯片和所述第四芯片层叠设置，多个所述第五芯片与所述第四芯片按照层叠顺序依次连接，所述第四芯片与所述第二芯片连接。

3.根据权利要求2所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述第五芯片与所述第四芯片之间通过金线焊接，所述第四芯片与所述第二芯片之间通过金线焊接。

4.根据权利要求1所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述叠层存储芯片...

【技术特征摘要】

1.一种叠层存储芯片连接系统，其特征在于，包括：第一叠层芯片组，以及与所述第一叠层芯片组相同的多个叠层芯片组；

2.根据权利要求1所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述第一芯片包括第四芯片与多个第五芯片，多个所述第五芯片和所述第四芯片层叠设置，多个所述第五芯片与所述第四芯片按照层叠顺序依次连接，所述第四芯片与所述第二芯片连接。

3.根据权利要求2所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述第五芯片与所述第四芯片之间通过金线焊接，所述第四芯片与所述第二芯片之间通过金线焊接。

4.根据权利要求1所述的叠层存储芯片连接系统，其特征在于，所述叠层存储芯片连接系统还包括垫片，所述垫片设置在所述第三芯片与所述基板中间。

5.根据权利要求4所述的叠层存储芯片连接系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，何瀚，王灿，张硕，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：