【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所描述的实施例涉及度量系统及方法，且更特定来说，涉及用于改进半导体结构测量的方法及系统。
技术介绍
1、半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常是通过应用于样品的一系列处理步骤制造。所述半导体装置的各种特征及多个结构层级是通过这些处理步骤形成。例如，尤其光刻是一种半导体制造过程，其涉及在半导体晶片上产生图案。半导体制造过程的额外实例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可在单一半导体晶片上制造，然后分离成个别半导体装置。
2、度量过程用于半导体制造过程期间的各个步骤以检测晶片上的缺陷，从而促进更高良率。光学度量技术提供高处理量(throughput)的潜力，而不会有样本破坏的风险。许多基于光学度量的技术(包含散射测量及反射测量实施方案及相关联的分析算法)通常用于特性化纳米级结构的关键尺寸、薄膜厚度、成分、重叠及其它参数。
3、快闪存储器架构正从二维浮栅架构转变到全三维几何结构。在一些实例中，薄膜堆栈及蚀刻结构非常深(例如，深度可达6微米)。此高纵横比结构对薄膜及cd测量产生挑战。测量界定这些...
【技术保护点】
1.一种度量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述第一量的宽带照明光包含跨越170纳米到1,000纳米的范围的波长，且所述第二量的宽带照明光包含跨越400纳米到1,300纳米的范围的波长。
3.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第一测量光点的所述第一量的收集光及检测来自所述第二测量光点的所述第二量的收集光同时进行。
4.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第一测量光点的所述第一量的收集光涉及循序检测多个光谱，其中所述多个光谱中的每一者包含不同范围的波长、偏振态或两者。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种度量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述第一量的宽带照明光包含跨越170纳米到1,000纳米的范围的波长，且所述第二量的宽带照明光包含跨越400纳米到1,300纳米的范围的波长。
3.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第一测量光点的所述第一量的收集光及检测来自所述第二测量光点的所述第二量的收集光同时进行。
4.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第一测量光点的所述第一量的收集光涉及循序检测多个光谱，其中所述多个光谱中的每一者包含不同范围的波长、偏振态或两者。
5.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第二测量光点的所述第二量的收集光涉及循序检测多个图像，其中所述多个图像中的每一者包含不同范围的波长。
6.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测来自所述第二测量光点的所述第二量的收集光涉及检测与第一波长范围相关联的光谱，其中所述检测来自所述第二测量光点的所述第二量的收集光涉及检测与不同于所述第一波长范围的第二波长范围相关联的一或多个图像。
7.根据权利要求6所述的度量系统，其中所述估计特性化安置于所述受测量样品上的所述结构的所述至少一个所关注参数的所述值涉及基于所述sr光谱信号估计第一所关注参数的值及基于所述pr图像信号估计第二所关注参数的值，其中所述第一所关注参数与位于距所述样品的所述表面第一深度处所述结构的一部分相关联，且其中所述第二所关注参数与位于距所述样品的所述表面第二深度处所述结构的一部分相关联。
8.根据权利要求1所述的度量系统，安置于所述受测量样品上的所述结构为混合接合结构或穿硅通孔。
9.根据权利要求8所述的度量系统，其中所述混合接合结构安置于与由所述第一及第二量的照明光照射的所述样品的所述表...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·Y·王，S·克里许南，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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