嵌入式存储器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种嵌入式存储器件及其制作方法，其中该嵌入式存储器件包括：衬底，其上具有嵌入式存储区域；第一介电层，设置在所述嵌入式存储区域内的所述衬底上；多个导电通孔，嵌入于所述第一介电层中；多个数据存储结构，分别设置在所述多个导电通孔上；多个间隔物，分别围绕在所述第一介电层上的所述多个数据存储结构，其中，所述多个间隔物的外表面与所述多个间隔物之间的所述第一介电层的顶面构成凹陷区域；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构，设置在所述凹陷区域内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改良的嵌入式存储器件及其制作方法。

技术介绍

1、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory，mram)，是一种非易失性嵌入式存储技术。mram中的数据是通过磁性存储元件存储。这些磁性存储元件由两个铁磁板组成，每个铁磁板都可以保持磁化，并由薄绝缘层隔开。两块板中的一块是设定为特定极性的永久磁铁，另一个板的磁化强度可以改变，以匹配外部磁场的磁化强度来存储数据。这种配置称为磁隧结(magnetic tunnel junction，mtj)，是mram位元基本结构。

2、mim电容器相当于一个平行板电容，一般在后段金属工艺阶段(beol)形成。mim电容器由二层金属和中间的电容介电层构成。mim电容器和mram嵌入式存储器被应用于各种设备和系统中，包括智能手机、嵌入式系统(例如家电和汽车控制系统)、物联网设备、电脑硬件和通信设备。它们具有各种基本功能，从高频信号到处理和程序/代码存储到数据存储、控制和配置设置。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种嵌入式存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述多个导电通孔是钨通孔。

3.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述多个数据存储结构各自包括与各自的所述多个导电通孔直接接触的底部电极层、设置在所述底部电极层上的磁隧结(MTJ)堆叠，和设置在所述磁隧结堆叠上的顶部电极层。

4.根据权利要求3所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述磁隧结堆叠包括自由层、隧道势垒层和参考层。

5.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，在所述多个间隔物之间的所述第一介电层的顶面是弯曲表面。...

【技术特征摘要】

1.一种嵌入式存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述多个导电通孔是钨通孔。

3.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述多个数据存储结构各自包括与各自的所述多个导电通孔直接接触的底部电极层、设置在所述底部电极层上的磁隧结(mtj)堆叠，和设置在所述磁隧结堆叠上的顶部电极层。

4.根据权利要求3所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述磁隧结堆叠包括自由层、隧道势垒层和参考层。

5.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，在所述多个间隔物之间的所述第一介电层的顶面是弯曲表面。

6.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述金属-绝缘体-金属电容器结构包括底部电容电极、在所述底部电容电极上的电容介电层、以及在所述电容器介电层上的顶部电容电极。

7.根据权利要求6所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述底部电容电极和所述顶部电容电极包括氮化钛。

8.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，所述金属-绝缘体-金属电容器结构具有u形横截面轮廓。

9.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯泰成，林大钧，蔡馥郁，蔡滨祥，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：