MEMS封装方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS封装方法，包括如下步骤：S1，在基底上键合器件层晶圆；S2，刻蚀器件层晶圆得到加速度传感器结构和陀螺结构；S3，在氮气氛围下，将上盖板预键合在加速度传感器结构和陀螺结构上，以使上盖板和基底之间的加速度传感器结构空腔和陀螺结构空腔中充满氮气；S4，消除陀螺结构空腔中的氮气，并将加速度传感器结构和陀螺结构均键合在上盖板上，以得到陀螺结构真空腔室。本发明专利技术通过MEMS封装实现加速度传感器芯片和陀螺芯片在一片基底上制备，缩短了制备流程，缩减了MEMS芯片制造的周期和成本，而且通过不同类型的MEMS级封装方式的组合嵌套，实现了两种芯片的联合封装，减小了封装体积提高了空间利用率和集成能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳惯性传感，具体为一种mems封装方法。

技术介绍

1、高精度惯性测量单元（imu）一般由三个单轴加速度计和三个单轴陀螺以及对应的专用集成电路组成，二者可分别对轴向上加速度和角速度信号进行测量，通过数据处理计算出运动物体的运动姿态，进而完成导航、制导和授时。

2、高精度惯性传感器中mems加速度传感器需要在n2氛围欠阻尼状态下工作，而mems陀螺需要在真空氛围下工作，因此现有技术中通常有两种方式，一种是采用单个mems芯片独立封装形式，另一种是采用先让mems加速度传感器和mems陀螺芯片一起进行真空封装，再在mems加速度传感器上方开孔充n2后进行二次封装，来确保不同mems芯片都可以正常工作。但这两种封装形式均需要进行多次晶圆级封装，制备周期较长，成本较高。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种mems封装方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。

2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种mems封装方法，包括如下步骤：

3、s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的MEMS封装方法，其特征在于，在所述S4步骤中，所述上盖板键合在所述加速度传感器结构上的方式具体为：

3.如权利要求1所述的MEMS封装方法，其特征在于，在所述S3步骤中，所述上盖板预键合在所述陀螺结构上的方式具体为：

4.如权利要求3所述的MEMS封装方法，其特征在于，所述S4步骤的具体方式为：

5.如权利要求4所述的MEMS封装方法，其特征在于，释放所述牺牲块的具体方式为：将所述上盖板按压在所述加速度传感器结构和所述陀螺结构上，且在施加压力的过程中加热所述牺牲块...

【技术特征摘要】

1.一种mems封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的mems封装方法，其特征在于，在所述s4步骤中，所述上盖板键合在所述加速度传感器结构上的方式具体为：

3.如权利要求1所述的mems封装方法，其特征在于，在所述s3步骤中，所述上盖板预键合在所述陀螺结构上的方式具体为：

4.如权利要求3所述的mems封装方法，其特征在于，所述s4步骤的具体方式为：

5.如权利要求4所述的mems封装方法，其特征在于，释放所述牺牲块的具体方式为：将所述上盖板按压在所述加速度传感器结构和所述陀螺结构上，且在施加压力的过程中加热所述牺牲块，同时向所述牺牲块通入氧气，以使所述上盖板的键合位置落在所述金属共晶点上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，刘翔天，汪超，方明，李钊，刘玉，
申请(专利权)人：武汉衡惯科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：