MLCC短路品的缺陷位置分析方法技术

本申请提供一种MLCC短路品的缺陷位置分析方法，属于多层陶瓷电容器失效分析技术领域。该方法包括：对MLCC产品进行0.5秒至2秒的快速漏电流检测，筛选出漏电流大于第一预设阈值的短路品；通过声学扫描显微镜排除存在裂类缺陷的产品；对筛选出的无裂类短路品逐步施加升高的直流电压，并实时监测漏电流，当电流突变幅度超过第二预设阈值时终止测试；随后对保护盖面和切割面进行声学扫描，提取缺陷点在两个面上的二维坐标；通过图像配准与空间反演算法计算出缺陷在MLCC内部的三维坐标。该方法可非破坏性地识别并定位内部隐性短路缺陷，提升定位精度与分析效率，适用于批量失效分析与制造工艺优化。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及mlcc产品测试的，特别是涉及一种mlcc短路品的缺陷位置分析方法。

技术介绍

1、随着电子设备逐渐向小型化、轻量化方向发展，作为高性能电器设备不可缺少的基础元件，片式多层陶瓷电容器(mlcc)广泛应用于电子汽车，通讯设备等电子领域。

2、如图1所示，mlcc是由一系列层状陶瓷薄膜和印刷电极组成的独石电容器。如图2/3所示，mlcc的结构具备特殊性，即电极正对位置与两侧的留边位置存在高度差，因此，mlcc堆叠并烧结完成后，其内部结构留边位置的电极并不会保持平直，而是如图4出现延伸向内弯曲，形成留边区域。留边区的电极位置厚度远小于电极正对位置区域的电极位置厚度，从而导致靠近留边的电极正对位置膜片的薄化缺陷，烧结完成后该区域极易出现短路。

3、在mlcc的膜片堆叠成型过程中，电极延伸弯曲程度与膜片拉伸强度、印刷电极厚度、堆叠工艺、均压工艺等均有较大的关联，因此，当检测到mlcc出现短路品时，需要对短路品内部缺陷进行位置定位分析。

4、在传统的技术中，首先对mlcc进行绝缘电阻(ir)测试，在向mlcc施加额定电压后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MLCC短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的MLCC短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于：计算所述缺陷点在MLCC内部的三维空间坐标，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的MLCC短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，通过空间反演算法计算缺陷点的三维空间坐标的步骤包括：

4.根据权利要求1至3任一项所述的MLCC短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，计算缺陷点的三维空间坐标之后，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的MLCC短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，生成缺陷点的三维空...

【技术特征摘要】

1.一种mlcc短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的mlcc短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于：计算所述缺陷点在mlcc内部的三维空间坐标，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的mlcc短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，通过空间反演算法计算缺陷点的三维空间坐标的步骤包括：

4.根据权利要求1至3任一项所述的mlcc短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，计算缺陷点的三维空间坐标之后，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的mlcc短路品的缺陷位置分析方法，其特征在于，生成缺陷点的三维空间分布图时，还包括以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥兴，黄翔，李荣林，宋进祥，
申请(专利权)人：广东微容电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：