一种半导体封装结构、半导体模组和电子设备制造技术

本申请提供了一种半导体封装结构、半导体模组和电子设备，包括第一封装体和第二封装体，第一封装体包括第一基板和第一芯片，第二封装体包括第二基板，第一芯片位于第一基板之上，第二基板位于第一芯片之上。通过将第一芯片的厚度与第一基板和第二基板之间的间距的比值范围控制在不大于0.5，使得半导体封装结构的体积和第一芯片的厚度在同步降低的同时，第一芯片能够保持结构和性能的稳定性，以满足半导体封装结构体积小和可靠性高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体封装结构、半导体模组和电子设备。

技术介绍

1、层迭封装(package-on-package，pop)技术是一种典型的三维封装技术方案，由于其可以同时集成逻辑芯片和存储芯片的结构特点，已成为不断追求更小体积特点和更薄尺寸特点的主要封装方案之一。

2、层迭封装技术是将两个或多个芯片垂直堆栈在一起形成的封装结构，其能够减少芯片在主板上占用的面积，进而在手机、平板等电子设备中，已得到广泛应用。为了追求更小体积和更薄尺寸的结构特点，现有技术通过减小逻辑芯片的厚度，以不断压缩封装结构的总厚度。然而，逻辑芯片厚度的降低，不仅会降低逻辑芯片在封装结构内的结构强度，影响封装结构的可靠性，还存在芯片发热不均匀现象，影响封装结构的工作性能。

3、因此，如何提供一种半导体封装结构、半导体模组和电子设备，能够在兼顾封装结构可靠性和小体积特点，成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片的厚度T1的范围介于50μm～90μm之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括散热结构，所述散热结构设置在所述第一芯片上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构设置在所示第一芯片和所述第二基板之间，直接接触并覆盖所述第一芯片的第一上表面，所述第一上表面为所述第一芯片远离所述第一基板一侧的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片的厚度t1的范围介于50μm～90μm之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括散热结构，所述散热结构设置在所述第一芯片上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构设置在所示第一芯片和所述第二基板之间，直接接触并覆盖所述第一芯片的第一上表面，所述第一上表面为所述第一芯片远离所述第一基板一侧的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构的厚度t2与所述第一基板和所述第二基板之间的间距d1的比值范围介于0.3～0.5之间。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构的厚度t2的范围介于5μm～40μm之间。

7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构和所述第二基板之间的间距d2不大于40μm。

8.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构包括金刚石材料、硅材料或铜材料中的一种。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一封装体还包括包封层，以及位于所述包封层中的导电结构，所述包封层填充在所述第一基板和所述第二基板之间，将所述第一芯片环绕包覆，所述导电结构设置在所述第一芯片的周侧，将所述第一基板和所述第二基板电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板内设有第一布线层，所述第一芯片的第一下表面与所述第一布线层电连接，所述第一下表面为所述第一芯片靠近所述第一基板一侧的表面；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：靖向萌，张晓东，徐斌，华秀文，
申请(专利权)人：上海玄戒技术有限公司，
类型：发明
国别省市：