半导体装置及半导体形成方法制造方法及图纸

技术编号:45935901 阅读:18 留言:0更新日期:2025-07-25 17:59
本发明专利技术提供一种半导体装置及半导体形成方法,半导体装置包括:承载台、吸附装置和粘性膜,承载台用于承载第一基板,粘性膜位于承载台承载面上,吸附装置位于承载台上;其中,在所述第一基板被放置于所述承载台时,所述第一基板第一区域被所述吸附装置吸附于所述承载台,所述第一基板第二区域在所述第一区域被吸附过程中被固定至所述粘性膜。本发明专利技术的技术方案使得能够降低基板弯曲度,进而改善基板键合效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种半导体装置及半导体形成方法


技术介绍

1、键合工艺是将两片基板进行键合,基板的弯曲度对键合的效果影响较大。

2、以临时键合工艺进行举例,在键合前,需要对基板表面的键合胶进行烘烤,之后通过机台定位基板的位置以使得两片基板精准键合;但是,弯曲度较大的基板在烘烤后弯曲度会进一步增大,导致基板边缘与卡盘的相对位置发生改变,进而导致无法准确定位基板的位置,从而导致发生键合偏移的问题。

3、目前,为了降低基板的弯曲度,会在用于承载基板的卡盘内设置真空吸附装置,以通过真空吸附拉伸基板来降低弯曲度;同时,对于弯曲度较大的基板,还会加大对基板的键合压力。但是,当基板的弯曲度较大时,依靠真空吸附也无法将基板拉平;并且,现有的键合机台提供的键合压力值也无法完全满足弯曲度较大的基板的键合需求。因此,导致键合后的两片基板的边缘键合效果不好(例如键合界面存在气泡),进而导致后续在对基板进行减薄的过程中存在基板碎片或者破片的风险。

4、因此,如何降低基板的弯曲度对键合的影响是亟需解决的问题。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还包括,

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述粘性膜为可逆转换粘合剂,所述可逆转换粘合剂包括酚醛树脂胶、高温环氧胶、聚酰亚胺胶至少其中之一,通过改变温度以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力;或者,所述可逆转换粘合剂包括水凝胶,通过改变所述水凝胶电极性以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力;或者,所述可逆转换粘合剂包括偶氮苯及其衍生物,通过改变光的波长以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还包括,

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述粘性膜为可逆转换粘合剂,所述可逆转换粘合剂包括酚醛树脂胶、高温环氧胶、聚酰亚胺胶至少其中之一,通过改变温度以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力;或者,所述可逆转换粘合剂包括水凝胶,通过改变所述水凝胶电极性以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力;或者,所述可逆转换粘合剂包括偶氮苯及其衍生物,通过改变光的波长以改变所述粘性膜对所述第一基板的粘附力。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还包括,

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,在所述顶起装置向靠近所述第一基板的方向移动之前或者同时,

6.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述顶起装置为气囊,通过向所述气囊施加气压差使所述第一基板与所述承载台分离。

7.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述粘性膜包括多个子粘性膜,每个所述子粘性膜周围间隔一预设距离对应设置有所述顶起装置。

8.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述承载面设置有第一通孔和第二通孔,所述吸附装置通过所述第一通孔向所述第一基板提供或者去除吸附力;所述顶起装置通过在...

【专利技术属性】
技术研发人员:王中琪宋胜金
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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