【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,具体涉及一种芯片和电子设备。
技术介绍
1、移动soc(system on chip,系统级芯片)最典型的特征是片上异构,通过不同的片上异构处理器满足复杂多样的移动应用需求。随着应用复杂度的提高和工艺的不断进步,片上异构处理器存在不同的问题,例如,decap(de-coupling capacitors,去耦电容)的容值密度不足、esl(equivalent series inductance,等效电感)值较高、容量低、数据的存储和读取的延迟增加等问题。
技术实现思路
1、本公开提出一种芯片,以提高芯片的容置密度以及降低芯片的等效电感。
2、本公开的芯片包括第一芯片组件和第二芯片组件,所述第一芯片组件包括至少一个处理器单元;所述第二芯片组件包括至少一个集成无源器件和至少一个存储器,至少一个所述集成无源器件与至少一个所述处理器单元连接,至少一个所述存储器与至少一个所述处理器单元连接。
3、可选地,所述第一芯片组件和所述第二芯片组件层叠布置,至少一个所
...【技术保护点】
1.一种芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一芯片组件和所述第二芯片组件层叠布置,至少一个所述集成无源器件对应至少一个所述处理器单元设置。
3.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,所述第二芯片组件包括电源门控单元,至少一个所述处理器单元为中央处理器,所述电源门控单元对应所述中央处理器设置且与所述中央处理器连接。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,所述中央处理器包括第一部分和第二部分,所述电源门控单元对应所述第一部分设置且与所述第一部分连接,至少一个所述集成无源器件为第一集成无源器件,所
...【技术特征摘要】
1.一种芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一芯片组件和所述第二芯片组件层叠布置,至少一个所述集成无源器件对应至少一个所述处理器单元设置。
3.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,所述第二芯片组件包括电源门控单元,至少一个所述处理器单元为中央处理器,所述电源门控单元对应所述中央处理器设置且与所述中央处理器连接。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,所述中央处理器包括第一部分和第二部分,所述电源门控单元对应所述第一部分设置且与所述第一部分连接,至少一个所述集成无源器件为第一集成无源器件,所述第一集成无源器件对应所述第二部分设置且与所述第二部分连接;
5.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,所述集成无源器件的数量为多个,至少一个所述集成无源器件为第二集成无源器件,所述第一芯片组件包括至少一个接口,所述第二集成无源器件对应所述接口设置且与所述接口连接。
6.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,至少一个所述处理器单元为图形处理器,至少一个所述存储器为动态随机存储器,所述动态随机存储器对应所述图形处理器设置且与所述图形处理器连接;和/或
7.根据权利要求2-6中任一项所述的芯片,其特征在于,所述第一芯片组件和所述第二芯片组件之间通过混合键合连接。
8.根据权利要求2-6中任一项所述的芯片,其特征在于,所述第二芯片组件的数量为多个,多个所述第二芯片组件在所述芯片的厚度方向上设于所述第一芯片组件同一侧,且多个所述第二芯片组件层叠布置。
9.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,至少一个所述处理器单元为图形处理器,至少一个所述存储器为动态随机存储器,所述动态随机存储器与所述图形处理器连接。
10.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,所述芯片包括依次层叠布置的第一芯片层、第二芯片层和第三芯片层,所述图形处理器设于所述第一芯片层,所述动态随机存储器包括外围电路和存储单元阵列,所述外围电路设于所述第二芯片层,所述存储单元阵列和所述集成无源器件均设于所述第三芯片层;
11.根据权利要求10...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓东,王腾,蔡涛,王利强,靖向萌,何建波,
申请(专利权)人:北京玄戒技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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