GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件技术

本发明专利技术提供一种GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件，形成所述GaN基功率器件的过程中，在形成栅极或钝化层时，对栅极层进行钝化处理，以降低栅极层的激活量；或者，在形成栅极层时，控制栅极层从底部至顶部激活量按逐渐减小变化，以使得栅极层掺杂离子的空穴浓度降低，从而达到减小栅极漏电流的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种gan基功率器件的制备方法及gan基功率器件。

技术介绍

1、氮化镓(gan)基功率器件的栅极类型包括欧姆栅极和肖特基接触栅极两种，肖特基接触栅极gan基功率器件相比于欧姆栅极gan基功率器件，在栅极漏电流方面已经有了显著的降低，但相比于硅功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(si power mosfet)而言，肖特基接触栅极gan基功率器件的漏电流(igss)依然十分显著(2个数量级以上)，因此，如何继续降低gan基功率器件肖特基接触栅极的栅极漏电流依然是本领域十分关注的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种gan基功率器件的制备方法及gan基功率器件，以降低肖特基接触栅极gan基功率器件的漏电流。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种gan基功率器件的制备方法，包括：

3、提供基底，所述基底包括自下而上依次堆叠的衬底层、沟道层和势垒层，且于所述势垒层两侧的所述沟道层上分别形成有源极和漏极；

4、在所述势垒层上形成高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基功率器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的GaN基功率器件的制备方法，其特征在于，对所述栅极层进行钝化处理的方式包括：在形成所述栅极或所述钝化层时，引入结合元素，以使得所述结合元素与激活的掺杂离子结合，以降低所述栅极层的激活量。

3.如权利要求2所述的GaN基功率器件的制备方法，其特征在于，所述栅极层的掺杂离子包括镁，所述结合元素包括氢或氧。

4.如权利要求1所述的GaN基功率器件的制备方法，其特征在于，控制所述栅极层从底部至顶部激活量按逐渐减小变化的方法包括：所述栅极层通过多次生长形成，且多次生长时的掺杂浓度按逐渐...

【技术特征摘要】

1.一种gan基功率器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的gan基功率器件的制备方法，其特征在于，对所述栅极层进行钝化处理的方式包括：在形成所述栅极或所述钝化层时，引入结合元素，以使得所述结合元素与激活的掺杂离子结合，以降低所述栅极层的激活量。

3.如权利要求2所述的gan基功率器件的制备方法，其特征在于，所述栅极层的掺杂离子包括镁，所述结合元素包括氢或氧。

4.如权利要求1所述的gan基功率器件的制备方法，其特征在于，控制所述栅极层从底部至顶部激活量按逐渐减小变化的方法包括：所述栅极层通过多次生长形成，且多次生长时的掺杂浓度按逐渐减小变化。

5.如权利要求4所述的gan基功率器件的制备方法，其特征在于，多次生长时的掺杂浓度在1e17～1e19之间选择。

6.如权利要求5所述的gan基功率器件的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：信亚杰，雷嘉成，郭德霄，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：