一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制方法、装置及设备制造方法及图纸

技术编号:45880062 阅读:13 留言:0更新日期:2025-07-22 21:14
本申请公开了一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制方法、装置及设备,所述方法包括:获取碳化硅电驱系统中逆变器的多矢量脉冲序列;求解所述多矢量脉冲序列中每个电压矢量的作用时间;基于每个电压矢量的作用时间,构建评价函数,并选择最小评价函数的序列作为最优序列并输出。本申请通过优化多矢量脉冲序列与作用时间分配,能够实现共模与差模电压的协同抑制,同时提升电流的控制精度与系统响应性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于电力电子与电机控制,具体涉及一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制方法、装置及设备


技术介绍

1、碳化硅(sic)功率器件因具备高开关频率、低导通损耗等优势,已广泛应用于永磁同步电机(pmsm)驱动系统。然而,由于其高速开关特性导致电压变化率(dv/dt)极高,在驱动过程中极易产生高频共模电压和大幅度差模电压。其中,共模电压在电机转轴上感应出较高的轴电压,进而诱发轴承电流,造成轴承过早磨损甚至失效;差模电压则可能在电机绕组端形成尖峰电压,其峰值可达直流母线电压的3倍,严重威胁绕组绝缘系统的可靠性。

2、传统抑制方案主要包括两类:一是通过增强绝缘设计或引入无源滤波器等硬件手段进行缓解,但此类方法往往成本高、体积大,且存在谐振风险;二是通过特定的调制模式或模型预测控制(mpc)等主动控制策略降低电压干扰。然而,现有mpc方法大多未能实现对共模电压(cmv)与差模电压(dmv)的协同抑制,且在考虑死区效应方面存在不足,易在桥臂死区期间诱发不可预测的共模尖峰和差模过冲。

3、因此,亟需一种能够兼顾cmv与dmv抑制、同时提升电流控制精本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取碳化硅电驱系统中逆变器的多矢量脉冲序列,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,求解所述多矢量脉冲序列中每个电压矢量的作用时间,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于每个电压矢量的作用时间,构建评价函数,并选择最小评价函数的序列作为最优序列并输出,包括:

5.一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制装置,其特征在于,所述装置包括:

6.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅电驱共模与差模电压抑制方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取碳化硅电驱系统中逆变器的多矢量脉冲序列,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,求解所述多矢量脉冲序列中每个电压矢量的作用时间,包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:麻宸伟吴运强宋文胜胡稀苓葛兴来薛诚陈健
申请(专利权)人:西南交通大学
类型:发明
国别省市:

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