【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种冗余修复方法、冗余修复电路及存储器。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中存在着字线(word line，wl)失效的问题；若字线失效，需要对失效的字线地址进行修复。
2、dram通过将失效的字线地址(后称：失效地址)存储到同一反熔丝资源中的多个反熔丝存储单元(anti-fuse cell)中，进而利用反熔丝资源对应的冗余字线(redundancyword line，rwl)替换失效字线，以实现对失效地址的修复。具体地，冗余字线和反熔丝资源一一对应，在进行失效地址的修复时，将失效地址编程到反熔丝资源中的多个反熔丝存储单元中。对当前地址译码时，通过将当前地址与不同反熔丝资源内存储的失效地址进行比较，一旦某一反熔丝资源存储的失效地址与当前地址相同，便会对该反熔丝资源对应的冗余字线进行访问，从而实现利用冗余字线替代常规字线。
3、dram jedec的技术规格书中规定可以让用户通过封装后修复(post packagerep...
【技术保护点】
1.一种冗余修复方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于本次冗余修复操作没有所述剩余编程次数，结束所述冗余修复操作。
3.根据权利要求1所述的冗余修复方法，其特征在于，所述获取冗余资源地址的方法包括：于修复存储块中获取所述冗余资源地址；
4.根据权利要求3所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于所述冗余资源已被使用，于所述修复存储块中获取下一冗余资源地址。
5.根据权利要求3所述的冗余修复方法，其特征在于，判断所述冗余资源地址对应的冗余资源是否被使用的方法包括：基于...
【技术特征摘要】
1.一种冗余修复方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于本次冗余修复操作没有所述剩余编程次数，结束所述冗余修复操作。
3.根据权利要求1所述的冗余修复方法，其特征在于，所述获取冗余资源地址的方法包括：于修复存储块中获取所述冗余资源地址；
4.根据权利要求3所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于所述冗余资源已被使用，于所述修复存储块中获取下一冗余资源地址。
5.根据权利要求3所述的冗余修复方法，其特征在于，判断所述冗余资源地址对应的冗余资源是否被使用的方法包括：基于所述冗余资源地址对应的标志位判断所述冗余资源是否被使用，或，基于对所述冗余资源地址对应的冗余资源的当前数据状态判断所述冗余资源是否被使用。
6.根据权利要求3所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于所述编程地址与所述失效地址不同，获取下一冗余资源地址，所述下一冗余资源地址用于重新执行所述冗余修复操作。
7.根据权利要求4或6所述的冗余修复方法，其特征在于，在获取所述下一冗余资源地址之前，所述冗余修复方法还包括：
8.根据权利要求7所述的冗余修复方法，其特征在于，还包括：响应于当前所述冗余资源地址为所述修复存储块中最后的修复资源，结束所述冗余修复操作。
9.一种冗余修复电路，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的冗余修复电路，其特征在于，所述地址接收模块包括：
11.根据权利要求10所述的冗余修复电路，其特征在于，所述第一验证单元还被配置为，响应于所述冗余资源已被使用，指示所述第一获取单元于所述修复存储块中获取下一冗余资源地址，并判断所述下一冗余资源地址对应的冗余资源是否被使用。
12.根据权利要求10所述的冗余修复电路，其特征在于，所述地址接收模块还被配置为，响应于所述编程地址与所述失效地址不同，获取下一冗余资源地址，所述下一冗余资源地址用于重新执行所述冗余修复操作。
13.根据权利要求11或12所述的冗余修复电路，其特征在于，所述地址接收模块还包括：第二验证单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈姝雨，张伟，汪锡，周龙，孙一帆，
申请(专利权)人：长鑫闵科存储技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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