【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led照明，特别涉及一种深红光光源制备方法及高拟合度全光谱发光器件。
技术介绍
1、全光源光源是一种模拟太阳光谱的光源，通过多种led发射不同波长的光线，再经过光学的调节和优化，实现与太阳光谱相似的光谱输出。全光谱中包含紫外光、可见光、红外光的光谱曲线，并且在可见光部分中红绿蓝的比例与太阳光近似，显色指数接近100。全光谱光源因具有色彩还原度高、光线柔和舒适、健康照明以及节能环保等优势，在多个领域得到广泛应用，并展现出巨大的市场潜力。
2、现有技术当中，实现全光谱光源多以蓝光芯片激发各波段荧光粉实现类太阳光谱，但是目前，680～780nm深红外光可见光部分对应光谱仍存在较大缺失。专利cn118231549a公布了一种全光谱光源及制作方法和应用，采用410 nm～420nm、430 nm～440nm、445nm～460 nm混波段芯片，并复配荧光粉组合，可补齐400nm～440nm波段光谱，但是680nm～780nm光谱强度仍相对缺失。专利cn110285389a公布了一种全光谱led光源及含有该光源的led灯，...
【技术保护点】
1.一种深红光光源制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片的数量大于等于一颗。
3.根据权利要求2所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片为两颗，其中一颗所述紫光芯片的波段范围为390nm~395nm，另一颗所述紫光芯片的波段范围为410nm~415nm。
4.根据权利要求2所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片为两颗，其中一颗所述紫光芯片的波段范围为400nm~405nm，另一颗所述紫光芯片的波段范围为415nm~420nm。
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【技术特征摘要】
1.一种深红光光源制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片的数量大于等于一颗。
3.根据权利要求2所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片为两颗，其中一颗所述紫光芯片的波段范围为390nm~395nm，另一颗所述紫光芯片的波段范围为410nm~415nm。
4.根据权利要求2所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述紫光芯片为两颗，其中一颗所述紫光芯片的波段范围为400nm~405nm，另一颗所述紫光芯片的波段范围为415nm~420nm。
5.根据权利要求1所述的深红光光源制备方法，其特征在于，所述深红光荧光粉的峰值波段为660nm~795nm，所述深红光光源在780nm波...
【专利技术属性】
技术研发人员：张路华，谢东升，王斌，左明鹏，李义园，
申请(专利权)人：江西斯迈得半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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