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深红光光源制备方法及高拟合度全光谱发光器件技术
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文档序号:45869399
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本发明提供一种深红光光源制备方法及高拟合度全光谱发光器件,方法包括选取波段范围为380nm~420nm的紫光芯片,并将紫光芯片固焊在支架碗杯上;将低折射率胶水与深红光荧光粉进行均匀混合,以得到混合胶水,并将混合胶水均匀点在紫光芯片正上方,之...
该专利属于江西斯迈得半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江西斯迈得半导体有限公司授权不得商用。
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