【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种光刻控制方法、控制装置、光刻系统及存储介质、电子设备。
技术介绍
1、光刻工艺是半导体制造中的关键步骤之一，通过将掩模版上的图案转移到涂覆有光刻胶的晶圆表面，实现微纳结构的精确复制。光刻工艺的精度不仅影响半导体器件的最小特征尺寸，还直接影响器件的性能、良率和成本。
2、随着半导体器件制造工艺的不断进步，对于更小尺寸、更高密度的半导体器件结构的需求也在不断增加。
3、然而，现有光刻工艺精度较低，难以满足更小尺寸、更高密度的半导体器件结构的制造需求。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题是：如何提高光刻工艺精度。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种光刻控制方法，所述方法包括：
3、利用第一机器学习模型，确定初始光刻参数，并发送至光刻设备，以控制所述光刻设备按照所述初始光刻参数执行当前光刻操作；
4、监测所述光刻设备在执行当前光刻操作过程中光刻过程数据，并基于监测到的光刻过程数据进行光刻
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1.一种光刻控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻控制方法，其特征在于，所述在当前光刻操作的光刻精度不满足预设光刻精度要求时，调整所述初始光刻参数或所述光刻设备，以控制所述光刻设备的下一光刻操作，包括：
3.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在于，利用所述第一机器学习模型得到调整后的光刻参数对应的光刻精度预测结果。
4.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在于，在光刻精度分析结果不满足预设光刻精度要求时，利用所述第一机器学习模型，调整所述初始光刻参数。
5.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种光刻控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻控制方法，其特征在于，所述在当前光刻操作的光刻精度不满足预设光刻精度要求时，调整所述初始光刻参数或所述光刻设备，以控制所述光刻设备的下一光刻操作，包括：
3.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在于，利用所述第一机器学习模型得到调整后的光刻参数对应的光刻精度预测结果。
4.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在于，在光刻精度分析结果不满足预设光刻精度要求时，利用所述第一机器学习模型，调整所述初始光刻参数。
5.如权利要求2所述的光刻控制方法，其特征在于，所述调整所述光刻设备，包括：生成光刻设备硬件调整指示信息，并发送至所述光刻设备，以调整所述光刻设备的硬件配置。
6.如权利要求1所述的光刻控制方法，其特征在于，所述第一机器学习模型是通过学习光刻过程数据与光刻精度之间的关系所得到的。
7.如权利要求6所述的光刻控制方法，其特征在于，所述光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宁，罗悦宁，高大为，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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