【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电探测器，尤其涉及一种基于铟镓砷(ingaas)材料的单光子雪崩二极管(spad)，适用于低光照环境下的高灵敏度光探测应用，例如量子通信、激光雷达(lidar)、医学成像和光子计数等领域。
技术介绍
1、单光子雪崩二极管(spad)是一种能够探测单个光子的高灵敏度光电探测器件，在弱光探测、量子光学和精密测量等领域具有广泛的应用。相比传统的光电探测器，spad能够在盖革模式(geiger mode)下工作，通过雪崩倍增效应将单个光子激发的电子-空穴对放大为可检测的电信号，实现极高的探测灵敏度。
2、目前技术中以au-be(金铍)、au-zn-pd(金锌铅)代表的合金体系接触电阻良好，例如公开号为cn102115833a，公开日为2011年7月6日，专利名称为《半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用》的公开文献，公开的半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用,金铍合金成分组成及质量百分比:be:1-5％,au:余量。制备方法如下:按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝...
【技术保护点】
1.一种铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的材料为外延片生长的本征的渐变组分材料，所述电极接触层的材料为铟镓砷磷。
3.根据权利要求2所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的渐变组分的变化规则为In1-xGaxAsyP1-y，x跟随y变化；
4.根据权利要求3所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的材料厚度为20纳米至200纳米，上表面掺杂浓度为1019个原子每立方厘米。
5.根据权利要求1-4中任一所...
【技术特征摘要】
1.一种铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的材料为外延片生长的本征的渐变组分材料，所述电极接触层的材料为铟镓砷磷。
3.根据权利要求2所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的渐变组分的变化规则为in1-xgaxasyp1-y，x跟随y变化；
4.根据权利要求3所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层的材料厚度为20纳米至200纳米，上表面掺杂浓度为1019个原子每立方厘米。
5.根据权利要求1-4中任一所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述电极接触层渗入有锌扩散，所述锌扩散渗透至帽层，所述p电极由非合金接触的ti-pt-au制成。
6.根据权利要求5所述的铟镓砷单光子雪崩二极管，其特征在于：所述铟镓砷单光子雪崩二极管为背入射式无背面透镜结构，所述衬底的底面设有n电极，所述n电极为平整结构，所述n电极边缘设有增透膜，所述增透膜的厚度大于n电极的厚度。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：林旭斌，胡飞飞，黄昱，洪丹轲，张思拓，吴柳，
申请(专利权)人：中国南方电网有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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