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一种铟镓砷单光子雪崩二极管及其制备方法技术
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文档序号:45835573
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本发明揭示了一种铟镓砷单光子雪崩二极管,包括:衬底,以及生长在衬底上的外延片;所述外延片包括:缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层、电极接触层、介质膜、P电极、所述电极接触层材料为铟镓砷磷。所述电极接触层的材料为外延片生长的本征的渐变组分材...
该专利属于中国南方电网有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国南方电网有限责任公司授权不得商用。
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