一种DRAM芯片的测试系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种DRAM芯片的测试系统及方法，包括：FPGA和LVDS组合模块，用于对待测试DRAM芯片发出信号并接受DRAM芯片返回的信号，并控制DRAM芯片进入不同工作状态；电压检测ADC电路，用于获取待测试DRAM芯片在不同工作状态的电压变化信号；上位机，用于控制FPGA和LVDS组合模块，并接收和处理来自FPGA和LVDS组合模块、以及电压检测ADC电路的信号数据，对测试结果进行功耗分析和展示。替换ATE的测试方案以实现芯片功耗量测。同时相较于原有不良品的测试方案，本发明专利技术可以替代ATE对测试流程进行分析，解决原SLT方案无法针对DRAM的特定地址的电压和电流状况进行分析与调试的缺陷，对不良品的体质进行低成本的便捷验证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，尤其涉及dram芯片的测试系统及方法。

技术介绍

1、dram芯片测试目前存在slt（system level test，系统级测试）和ate（automatictest equipment，自动化测试设备）两种测试方案。slt的测试方案就是使用传统的soc（system on chip，系统级芯片），比如mtk（mediatek，联发科）和rk（rockchip，瑞芯微）的架构，对dram芯片进行系统级功能性测试。ate则是采用专用的asic（application-specificintegrated circuit，专用集成电路）架构，模仿dram芯片工作中需要的信号，对芯片整个体质进行一个全面的测试。

2、相较于slt测试，ate的测试更为全面，可以更为直观地了解到dram芯片的实际状况。但是ate的整机成本很高，并非所有厂商可以部署，因此大部分厂商仍采用slt的测试方案。然而，slt的测试方案无法对dram芯片进行直接控制，只能基于ddrc（dram controller，dram控制器）对dram芯片进行控制。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种DRAM芯片的测试系统，其特征在于包括：

2.一种DRAM芯片的测试系统，其特征在于包括：

3.根据权利要求1或2所述的DRAM芯片的测试系统，其特征在于还设置与电压检测ADC电路并行的高速电流ADC电路，对功耗相关信号进行高速采样和转换，以获取更精确的功耗信息。

4.根据权利要求1或2所述的DRAM芯片的测试系统，其特征在于，还设置外接电源，以插入方式连接FPGA和LVDS组合模块、以及以插入方式接入待测试DRAM芯片。

5.一种DRAM芯片的测试方法，其特征在于采用权利要求1、3-4任一项所述的DRAM芯片的测试系统，包括如下步...

【技术特征摘要】

1.一种dram芯片的测试系统，其特征在于包括：

2.一种dram芯片的测试系统，其特征在于包括：

3.根据权利要求1或2所述的dram芯片的测试系统，其特征在于还设置与电压检测adc电路并行的高速电流adc电路，对功耗相关信号进行高速采样和转换，以获取更精确的功耗信息。

4.根据权利要求1或2所述的dram芯片的测试系统，其特征在于，还设置外接电源，以插入方式连接fpga和lvds组合模块、以及以插入方式接入待测试dram芯片。

5.一种dram芯片的测试方法，其特征在于采用权利要求1、3-4任一项所述的dram芯片的测试系统，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述的dram芯片的测试方法，其特征在于基于jedec标准协议驱动dram 芯片在多种工作状态下进行测试，测试参数包括：bank激活预充...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国骏，姚栋，
申请(专利权)人：湖北长江万润半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：