【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种存储晶圆结构及一种三维集成装置的形成方法。
技术介绍
1、三维集成技术可以实现高性能集成互连电路，是获得高性能芯片的一种新技术。以一种三维集成存储芯片的制作工艺为例，先分别制作存储器件晶圆和逻辑电路晶圆，然后将二者垂向键合形成堆叠结构，其中两个晶圆芯片区的电路相互连接，之后分割所述堆叠结构所得到的三维集成存储芯片中，逻辑电路层和存储层垂向连接。另外，随着市场对于存储器的需求持续增长，现有工艺在键合逻辑电路晶圆之前，会先将两个以上的存储器件晶圆垂向键合而形成多层存储，以提高存储容量和存储密度。
2、三维集成芯片的良率与存储器件晶圆和逻辑电路晶圆各自的良率相关，但是，目前针对存储器件晶圆的检测较为简单，通常仅涉及单个器件层面的电学性能检测（如wat（晶圆接受测试）），而对三维集成芯片的读写性能检测，需要在存储器件晶圆和逻辑电路晶圆键合之后，从逻辑电路晶圆通过二者之间的信号传输通道向存储器件晶圆输入控制信号，若测得存储器件晶圆不良，则与其键合的合格的逻辑电路晶圆也被报废，而且逻辑电路晶圆通常制作...
【技术保护点】
1.一种存储晶圆结构，其特征在于，包括多个芯片区和位于各所述芯片区周围的切割区，每个所述芯片区形成有一个存储芯片，每个存储芯片包括多个包括存储器件阵列的存储单元，所述切割区形成有测试芯片，所述测试芯片包括：
2.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述核心存储模块的存储器件阵列的可存储数据量小于或等于一个所述存储单元的存储器件阵列的可存储数据量。
3.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述核心存储模块和所述存储单元还包括与各自内部的存储器件阵列对应的局部读出放大器；所述控制模块包括写控制器、读控制器、行解码器以及列解码器。p>
4.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种存储晶圆结构，其特征在于，包括多个芯片区和位于各所述芯片区周围的切割区，每个所述芯片区形成有一个存储芯片，每个存储芯片包括多个包括存储器件阵列的存储单元，所述切割区形成有测试芯片，所述测试芯片包括：
2.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述核心存储模块的存储器件阵列的可存储数据量小于或等于一个所述存储单元的存储器件阵列的可存储数据量。
3.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述核心存储模块和所述存储单元还包括与各自内部的存储器件阵列对应的局部读出放大器；所述控制模块包括写控制器、读控制器、行解码器以及列解码器。
4.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述测试芯片还包括：
5.如权利要求4所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述测试芯片还包括：
6.如权利要求5所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述输入输出模块包括多个焊垫以及与所述多个焊垫连接的焊盘环，所述多个焊垫将所述外部信号接入所述测试芯片，其中，所述外部信号用于测试所述核心存储模块、所述模拟电压模块和所述电熔丝模块中的至少一者，所述多个焊垫输出测试结果以判断所述芯片区的所述存储单元是否合格。
7.如权利要求1所述的存储晶圆结构，其特征在于，所述输入输出模块包括多个焊垫以及与所述多个焊垫连接的焊盘环，所述多个焊垫将所述外部信号接入所述测试芯片；其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵如月，
申请(专利权)人：北京青耘科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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